[发明专利]单晶炉导流筒及单晶炉在审
| 申请号： | 202310685822.7 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116516477A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 | 申请（专利权）人： | 中电科先进材料技术创新有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 100043 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单晶炉导流筒及单晶炉。该单晶炉导流筒包括：外导流筒和设置于外导流筒内部的内导流筒；内导流筒包括锥筒部件和直筒部件；锥筒部件靠近单晶炉的炉口，直筒部件靠近单晶炉的炉底；锥筒部件为倒锥形结构，锥筒部件的下口与直筒部件的上口相连接。本申请提供的单晶炉导流筒能够有效减小固液生长界面径向方向上单晶中心与边缘的温度梯度差异，提高固液生长界面的径向V/G的均匀性，同时增大单晶上半部分的散热，从而减小直拉生长的单晶中COP缺陷的尺寸和数量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 导流 | ||
【主权项】：
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