[发明专利]一种芯片离子阱在审
| 申请号： | 202310692256.2 | 申请日： | 2023-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116435001A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 赵文定;姚麟;杨蒿翔;连文倩 | 申请（专利权）人： | 华翊博奥（北京）量子科技有限公司 |
| 主分类号： | G21K1/08 | 分类号： | G21K1/08;G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡艳华;李丹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本文公开一种芯片离子阱，包括：两个以上光子离子信息交换区和光信道；其中，光子离子信息交换区设置为：建立光子和处于光子离子信息交换区的离子纠缠态，并释放该光子；光信道连接光子离子信息交换区，收集并传输释放的光子，并对释放的光子进行联合测量，以建立处于不同光子离子信息交换区的离子的纠缠态。本发明实施例基于光子离子信息交换区和光信道，实现了可拓展的大规模通用离子量子计算机系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 离子 | ||
【主权项】：
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