[发明专利]一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法，属于晶硅太阳能电池制备技术领域。所述制备方法包括：以单晶硅片作为基底，进行双面制绒，然后将制绒后硅片的正面进行纳米硼浆印刷，印刷完成后烘干，随后进行热推进和第一次酸洗，获得重掺硅片；将重掺硅片的正面进行硼扩散，随后对硅片的背面进行第二次酸洗和抛光，以及双面隧穿氧化模及多晶硅膜的制备，得多膜层硅片；将多膜层硅片进行双面磷扩散，随后对硅片的正面进行第三次酸洗和第一次碱洗，再对硅片进行第四次酸洗，再对硅片进行正面氧化铝沉积，再进行正面及背面的氮化硅沉积和电极印刷，得太阳能电池。本发明提升了TOPCon电池的转化效率。