[发明专利]碳化硅晶圆电化学研磨盘在审
| 申请号： | 202310801892.4 | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116657232A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 尹涛;赵盼盼;冯凯萍;石栋;赵天晨;郁炜;商宏烨;袁康程;高昊冉 | 申请（专利权）人： | 衢州学院 |
| 主分类号： | C25F3/30 | 分类号： | C25F3/30;C25F7/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 郑磊 |
| 地址： | 324000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体研磨加工技术领域，具体地涉及一种碳化硅晶圆电化学研磨盘，研磨盘的研磨面上开设若干间隔设置的反应槽，反应槽内设置放电电极，放电电极通电在研磨晶圆时对晶圆表面进行放电。通过设置于研磨盘中的电极间放电，释放出高能离子与瞬间高温，产生大量等离子体、氢基、羟基、自由基等。利用放电生成的高氧化性物质加速碳化硅表面的氧化，在碳化硅基板表面产生化学反应，生成氧化层。然后再用研磨面配合研磨液内的磨料去除氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 电化学 研磨 | ||
【主权项】：
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