[发明专利]一种高击穿场强的ZnO多晶陶瓷及制备方法和电缆护层保护器在审
| 申请号： | 202310817957.4 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116835975A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李迪;黄嘉明;陈兆炜;伍斯恒;李闻博;李奕霖;朱五洲;陈霖;蚁殷翔;廖雁群;李智宇;卓志豪;王强;李惠鸿;刘淡冰;叶宇婷 | 申请（专利权）人： | 广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/63;H01C7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨艺 |
| 地址： | 510600 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请属于电缆技术领域，尤其涉及一种高击穿场强的ZnO多晶陶瓷及制备方法和电缆护层保护器，本申请通过对高击穿场强的ZnO多晶陶瓷原料中纳米氧化锌、氧化锑的改性，以及烧结工艺的改进，使得制备得到的ZnO多晶陶瓷晶粒生长良好、晶粒尺寸分布均匀，气孔含量少、致密度高，提高了ZnO多晶陶瓷击穿场强，解决现有技术中ZnO基多晶陶瓷的击穿场强较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 场强 zno 多晶 陶瓷 制备 方法 电缆 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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