[发明专利]非对称双沟槽SiC MOSFET元胞结构、器件及制备方法有效
| 申请号： | 202310855052.6 | 申请日： | 2023-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN116581150B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 马鸿铭;张文渊;王哲 | 申请（专利权）人： | 北京昕感科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非对称双沟槽SiC MOSFET元胞结构、器件及制备方法，属于半导体器件技术领域，该元胞结构包括：N++型SiC衬底、N‑型SiC漂移层、伪源极沟槽、源极沟槽、伪源极沟槽P+型屏蔽层、源极沟槽P+型屏蔽层、栅极沟槽和堆叠结构，其中，伪源极沟槽P+型屏蔽层包围所述栅极沟槽的左侧以及下方的部分位置。本发明提供的非对称双沟槽SiC MOSFET元胞结构、器件及制备方法，可加强对栅极沟槽的保护，使得栅介质层的可靠性提升，有利于延长器件的使用寿命；通过采用掺杂浓度更高的N型电流传导层，在相同导通电流下，可降低导通电阻；高压下具有更低的瞬时功率即更优的短路特性，有利于提高系统的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 沟槽 sic mosfet 结构 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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