[发明专利]一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法

摘要

本发明公开一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法，在包括主桥臂A、B、C的三相逆变器中，设有用于分时导通的冗余桥臂D和用于换相的双向可控硅TA、TB和TC；由控制器发出控制指令，根据三相主桥臂A、B、C各相输出电流的相位，来决定是否需要进行分时导通控制；当判断某相电流进入较大区间时，由控制器开通与该相连接的双向可控硅并且把该相桥臂的驱动信号给予冗余桥臂，并把该相桥臂上的SiC MOSFET关断，从而使该相桥臂暂时“休息”，实现降低该桥臂结温峰值和结温波动幅值的目的，进而实现三相主桥臂A、B、C和冗余桥臂D及双向可控硅TA、TB和TC的分时导通与换相，以提升三相逆变器中SiC MOSFET运行寿命。