[发明专利]半导体器件及电子设备在审

专利信息
申请号: 202311138443.2 申请日: 2023-09-05
公开(公告)号: CN116863974A 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 王祥升;李庚霏;戴瑾;刘铭旭;王桂磊;赵超 申请(专利权)人: 北京超弦存储器研究院
主分类号: G11C5/06 分类号: G11C5/06;G11C7/18;G11C8/14
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 韩卫城
地址: 100176 北京市大兴区北京经济*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请实施例提供了一种半导体器件及电子设备。该半导体器件包括:衬底以及设置在衬底一侧的存储部、走线部和外围电路部,在垂直于衬底的方向上,存储部、走线部和外围电路部的位置不同;存储部包括至少两个子存储阵列,至少两个子存储阵列沿平行于衬底的第一方向依次排布;子存储阵列包括至少一个存储单元,存储单元包括晶体管;走线部包括至少一个共享字线;至少两个子存储阵列中,位于不同子存储阵列的存储单元的晶体管的栅极与同一共享字线电连接,共享字线与外围电路部连接。本申请实施例通过共享字线方式,可以大幅减少走线和降低外围电路面积,不占用多余面积,提高器件密度和集成度。
搜索关键词: 半导体器件 电子设备
【主权项】:
暂无信息
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