[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202320285383.6 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN219269471U | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B53/30 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置包括底部电极、绝缘体层、半导体层、介电层、铁电层以及顶部电极。底部电极设置于基板上。绝缘体层设置于底部电极上，且具有不同厚度的多个区段。半导体层设置于绝缘体层上。介电层设置于半导体层上。铁电层设置于介电层上。顶部电极设置于铁电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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