[发明专利]控制棒无效
| 申请号： | 87101877.2 | 申请日： | 1987-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1004950B | 公开（公告）日： | 1989-08-02 |
| 发明（设计）人： | 远藤善一郎;福本隆;齐藤庄藏;五十岚孝雄;吉本佑一郎;菅原敏;新保胜利 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G21C7/10 | 分类号： | G21C7/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 带有若干叶片的控制棒，每个叶臣都包括一个中子吸收区，其中设有由吸收核链型中子吸收剂制成并从下插入反应堆芯的中子吸收器，该中子吸收区沿轴向上被分为上、下两区；上、下区的边界位于沿轴向距中子吸收区下端为中子吸收区全长的3/8到5/8的范围内。在下区中垂直于轴的截面中的吸收核链型中子吸收剂小于小于在上区中垂直于轴的截面中的吸收核链型中子吸收剂含量。 | ||
| 搜索关键词： | 控制棒 | ||
【主权项】：
1.在包堆芯、用于控制所说堆芯的反应能力的控制棒、以及设置在所述堆芯下方以把所述控制棒插入所述堆芯的原子反应堆中的插入装置，每个所述控制棒包中子吸收区，该中子吸收区中包含有由吸收核链型中子吸收剂制成的中子吸收器，该吸收核链型中子吸收剂是这样的中子吸收剂，其中进一步吸收中子的核素为中子吸收反应形成的核素或蜕变核素，且这类吸收剂的中子吸收作用的衰减速度较低，和用以支承所述中子吸收器的支承装置，其特征在于：a)所述中子吸收区沿轴向被分成上、下两区，所述上和下区包含有相同的中子吸收剂，且所述控制棒由所述插入装置从所述上中子吸收区插入所述堆芯，b)所述上、下两区的边界位于沿轴向距所述中子吸收区下端为所述中子吸收区全长的3/8到5/8的范围内，c)所述吸收核链型中子吸收剂的量在所述上和下区的所述边界处变化且在所说下区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量小于在所述上区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量。
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- 2019-12-31 - 2022-04-08 - G21C7/10
- 本发明公开了一种盘式快速停堆系统，包括首尾断开的旋转滑轨、控制球组件以及控制球组件驱动机构；所述控制球组件驱动机构包括转动电机，所述控制球组件滑动连接在所述旋转滑轨上，所述控制球组件与所述转动电机可拆卸连接；正常工况下，连上所述控制球组件与所述转动电机之间的连接，通过所述转动电机带动所述控制球组件在所述旋转滑轨上往复滑动，需要停堆时，断开所述控制球组件与所述转动电机之间的连接，所述控制球组件可在自身重力作用下从所述旋转滑轨上向下滑落。本发明将刚性的控制棒优化成柔性串行的控制球组件，不需要控制球组件整体进行往复上升和下降，从而有效降低了快速停堆系统高度方向的尺寸，有利于反应堆结构小型化。
- 一种高温气冷堆吸收球表面涂层的制备方法及设备-202111328296.6
- 罗宝军;汪景新;周勤;孙惠敏;张振鲁;周振德 - 华能核能技术研究院有限公司;华能山东石岛湾核电有限公司
- 2021-11-10 - 2022-03-22 - G21C7/10
- 本发明涉及一种高温气冷堆吸收球表面涂层的制备方法及设备，本发明方法包括如下步骤：1)、将吸收球颗粒通过加料口加入流化床反应器中；2)、将三氯甲基硅烷置于蒸发器中，以氢气为载气将三氯甲基硅烷送入流化床反应器，维持温度1500‑1550℃，气相沉积1.5‑2.5h，三氯甲基硅烷在流化床反应器中裂解，后形成碳化硅，气相沉积于吸收球颗粒上，形成致密的碳化硅保护层。本发明通过在吸收球碳化硼颗粒表面形成一层坚固耐磨、致密的碳化硅涂层，形成光滑的小球，隔绝吸收球在运行过程中产生粉尘，确保反应堆的控制不受碳化硼粉尘的影响。
- 二次中子源棒-202111329984.4
- 曹进;蔡智毅;张利斌;林少芳;李长征;李颖虹;宋子凡;邓勇军;聂立红;陈建新 - 中广核研究院有限公司;岭澳核电有限公司;中广核铀业发展有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
- 2021-11-10 - 2022-03-22 - G21C7/103
- 本发明提供了一种二次中子源棒，包括外包壳以及设在外包壳中的内管段，内管段包括内包壳、用于提供中子的中子源芯块和用于吸附氚的内衬管，中子源芯块和内衬管设在内包壳中，中子源芯块中心开设有孔，内衬管轴向穿设在孔中，以吸附中子源芯块产生的氚。该二次中子源棒能减少氚排放，保护核电站工作人员的健康，同时降低中子源材料熔化风险。
- 一种具有非均匀反射层的非均匀控制棒-202110475992.3
- 刘成;聂小琴 - 西南科技大学
- 2021-04-29 - 2022-03-04 - G21C7/10
- 本发明公开了一种具有非均匀反射层的非均匀控制棒，包括：内层柱体，其上端和下端分别设置有多个反射层Ⅰ，内层柱体上端的反射层Ⅰ与下端的反射层Ⅰ之间设置有间隔分布的中子吸收体Ⅰ和非中子吸收体Ⅰ；外层圆环柱体，其滑动设置在内层柱体的外部，外层圆环柱体的结构包括：反射层Ⅱ，其分别设置在外层圆环柱体的上端和下端，外层圆环柱体上端的反射层Ⅱ与下端的反射层Ⅱ之间设置有间隔分布的中子吸收体Ⅱ和非中子吸收体Ⅱ；中子吸收体Ⅱ的外侧设置有反射层Ⅲ，外层圆环柱体中部的中子吸收体Ⅱ外侧未设置反射层Ⅲ。本发明通过在非均匀控制棒中增加非均匀分布的中子反射层实现了堆芯轴向的中子补偿作用，改善了堆芯轴向功率分布。
- 专利分类
