[发明专利]薄膜磁头滑板以及用于驱动其磁头元件的静电致动器无效
申请号: | 96105520.0 | 申请日: | 1996-03-01 |
公开(公告)号: | CN1141474A | 公开(公告)日: | 1997-01-29 |
发明(设计)人: | 越川誉生;前多宏志;今村孝浩 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈健 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造薄膜磁头滑板的方法,该磁头滑板具有相对于记录媒体的媒体相对表面,跟踪机构设置在滑板上,用于驱动上述机构的静电致动器包括有固定部件,该固定部件具有多个相互平行的齿,可移动部件也具有多个齿,这些齿平行于上述固定部件的齿,支承弹簧支承上述可移动部件,因此可移动部件能够相对于上述固定部件移动。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 磁头 滑板 以及 用于 驱动 元件 静电 致动器 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有媒体相对表面的薄膜磁头滑板的方法,该媒体相对表面相对于记录媒体,所述方法包括步骤:在基片表面上,或在基片上的牺牲层表面上设有滑板材料,为了形成所述媒体相对表面,预先形成有特定形状的所述基片表面或所述牺牲层表面;在所述基片表面,或在所述牺牲层表面形成所述滑板;和从所述滑板除去所述基片,或所述牺牲层和基片。
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- 2019-08-29 - 2022-01-07 - G11B5/31
- 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式,磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中,当第2电路向线圈供给着记录电流时,第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
- 巨磁自旋-塞贝克效应诱导的磁控转移扭矩辅助的MAMR-201910880012.0
- Z·李;S·宋;M·K·S·霍 - 西部数据技术公司
- 2019-09-18 - 2021-12-24 - G11B5/31
- 本申请涉及巨磁自旋‑塞贝克效应诱导的磁控转移扭矩辅助的MAMR,并公开了一种磁记录装置,其包括主磁极、围绕主磁极的线圈、后罩以及位于主磁极与后罩之间的自旋扭矩振荡装置。自旋扭矩振荡装置包括一个或多个第一层、间隔层和场产生层。一个或多个第一层位于主磁极上方。一个或多个第一层具有第一导热率或包括低导热率材料。间隔层位于一个或多个第一层上方。场产生层位于间隔层上方。散热器与后罩接触。散热器具有第二导热率或包括高导热率材料。散热器的第二导热率高于一个或多个第一层的第一导热率。
- 横向偏置强度增强-202110279552.0
- 毛明;C-J·钱 - 西部数据技术公司
- 2021-03-16 - 2021-12-21 - G11B5/31
- 本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。所述绝缘材料是多层结构。所述多层结构的第一层包括与隧道磁阻屏障层相同的材料,例如MgO,且安置成邻近于所述DFL传感器,但与所述RHB结构间隔开。所述多层结构的第二层是不同绝缘层,其安置成邻近于所述RHB结构,但与所述DFL传感器间隔开。所述多层结构有助于通过维持RHB矫顽磁性而改善面密度,而不会使头稳定性和性能可靠性降级。
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