垂直半导体装置及其制造方法

专利号：CN201911241895.7

公布日：2021-02-02

申请人：爱思开海力士有限公司

在介电阻挡壁之间包含直通阵列接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法

专利号：CN201980081011.8

公布日：2021-07-23

申请人：桑迪士克科技有限责任公司

三维存储器及其制造方法

专利号：CN201980001957.9

公布日：2020-01-31

申请人：长江存储科技有限责任公司

具有虚设电介质层堆叠体下方的外围器件的三维存储器器件及其制造方法

专利号：CN201680076109.0

公布日：2022-06-24

申请人：桑迪士克科技有限责任公司

3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法

专利号：CN201880001890.4

公布日：2019-08-30

申请人：长江存储科技有限责任公司

具有背侧支撑柱结构的三维存储器装置及其形成方法

专利号：CN202180087565.6

公布日：2023-08-11

申请人：桑迪士克科技有限责任公司

三维存储器件及其制造方法

专利号：CN201980000186.1

公布日：2020-06-26

申请人：长江存储科技有限责任公司

三维存储器件及其制造方法

专利号：CN202010417291.X

公布日：2021-04-27

申请人：长江存储科技有限责任公司

三维存储器件及其制作方法

专利号：CN202110163053.5

公布日：2021-05-07

申请人：长江存储科技有限责任公司

三维存储器件及其制作方法

专利号：CN201980003403.2

公布日：2021-02-26

申请人：长江存储科技有限责任公司

用于三维存储器的接触结构

专利号：CN202110754836.0

公布日：2021-10-29

申请人：长江存储科技有限责任公司

用于三维存储器的接触结构

专利号：CN202080000523.X

公布日：2021-06-08

申请人：长江存储科技有限责任公司

一种半导体器件的制造方法及半导体器件

专利号：CN202011081305.1

公布日：2022-04-12

申请人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司

电机转子和交替极电机

专利号：CN201911295317.1

公布日：2020-11-17

申请人：珠海格力电器股份有限公司

半导体构造、NAND单位单元、形成半导体构造的方法及形成NAND单位单元的方法

专利号：CN200880124715.0

公布日：2010-12-08

申请人：美光科技公司