[发明专利]三维存储器及其制造方法在审
申请号: | 201980001957.9 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110741475A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 夏季;霍宗亮;周文斌;徐伟;黄攀;徐文祥 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵磊;刘柳 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 公开了三维(3D)存储器器件和制造方法的实施例。在一些实施例中,用于形成3D存储器器件的方法包括在衬底上形成交替电介质堆叠层,以及形成沟道孔,所述沟道孔穿透交替电介质堆叠层并且暴露衬底的至少一部分。该方法还包括形成垂直地穿透交替电介质堆叠层的上部并且横向地延伸的顶部选择栅开口。该方法还包括形成平行于顶部选择栅开口的缝隙开口,其中缝隙开口垂直地穿透交替电介质堆叠层。该方法还包括用交替的导电和电介质层的膜堆叠层替换交替电介质堆叠层,在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切口,以及在缝隙开口中形成缝隙结构。 | ||
搜索关键词: | 电介质堆叠 选择栅 缝隙开口 穿透 存储器器件 开口 垂直地 衬底 沟道 电介质层 缝隙结构 交替的 膜堆叠 导电 平行 三维 替换 暴露 延伸 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法,包括:/n在衬底上形成交替电介质堆叠层;/n形成多个沟道孔,其中,所述多个沟道孔在垂直于所述衬底的方向上垂直地穿透所述交替电介质堆叠层,并且暴露所述衬底的至少一部分;/n形成多个顶部选择栅开口,所述多个顶部选择栅开口垂直地穿透所述交替电介质堆叠层的上部并且在平行于所述衬底的方向上横向地延伸;/n形成与所述多个顶部选择栅开口平行的多个缝隙开口,其中,所述多个缝隙开口垂直地穿透所述交替电介质堆叠层并且暴露所述衬底的至少一部分;/n用交替的导电和电介质层的膜堆叠层替换所述交替电介质堆叠层;/n在所述多个顶部选择栅开口中形成多个顶部选择栅切口;以及/n在所述多个缝隙开口中形成多个缝隙结构。/n
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- 专利分类
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的