一种相变存储器光刻工艺优化方法

专利号：CN202210276000.9

公布日：2022-07-08

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质

专利号：CN202110034008.X

公布日：2021-05-18

申请人：中国科学院微电子研究所

一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法

专利号：CN201310264809.0

公布日：2013-10-09

申请人：上海华力微电子有限公司

增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质

专利号：CN202111636322.1

公布日：2022-04-12

申请人：全芯智造技术有限公司

光刻工艺窗口的检测方法及装置

专利号：CN202210301347.4

公布日：2022-06-14

申请人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

监测光刻质量的方法

专利号：CN200810044125.9

公布日：2010-06-23

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法

专利号：CN201310264868.8

公布日：2013-10-09

申请人：上海华力微电子有限公司

一种光刻工艺热点的检查方法

专利号：CN201810800585.3

公布日：2021-05-25

申请人：上海华力微电子有限公司

一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法

专利号：CN201710987034.8

公布日：2018-03-13

申请人：上海华力微电子有限公司

光刻导轨设备中分立式热板系统

专利号：CN200710094134.4

公布日：2009-04-15

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种在线确定光刻工艺窗口的方法

专利号：CN201410261076.X

公布日：2014-08-20

申请人：上海华力微电子有限公司

一种改善光刻工艺的方法

专利号：CN201611234831.0

公布日：2017-04-26

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法

专利号：CN201811632069.0

公布日：2021-02-02

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

一种基于无监督学习的光刻工艺窗口的确定方法

专利号：CN202310675979.1

公布日：2023-09-12

申请人：华东师范大学

一种掩模参数的优化方法及装置

专利号：CN201810967757.6

公布日：2018-11-30

申请人：中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司