[发明专利]一种改善光刻工艺的方法在审
| 申请号： | 201611234831.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601600A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善光刻工艺的方法，包括提供一表面具有光刻胶的衬底，获取衬底不同位置的不同光刻焦平面和相应的工艺窗口；根据所要得到的目标图案，将所得到的不同位置和相应的工艺窗口进行组合；并且，根据组合后的工艺窗口，针对每个位置选择不同焦平面；提供另一表面具有光刻胶的衬底，针对每个位置，实施相应的焦平面下的光刻工艺，来对光刻胶进行光刻，从而在光刻胶中获得目标图案。本发明的方法能够获得更高精度的线宽，并且实现了所光刻的图案形貌的可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善光刻工艺的方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一表面具有光刻胶的衬底，获取衬底不同位置的不同光刻焦平面和相应的工艺窗口；步骤02：根据所要得到的目标图案，将所得到的不同位置和相应的工艺窗口进行组合；并且，根据组合后的工艺窗口，针对每个位置选择不同光刻焦平面；步骤03：提供另一表面具有光刻胶的衬底，针对每个位置，实施相应的光刻焦平面下的光刻工艺，来对光刻胶进行光刻，从而在光刻胶中获得目标图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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