[发明专利]改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法

摘要

本发明公开了一种改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法，改善机理是在MOCVD反应腔内的不锈钢部件主体表面涂覆一层致密的保护膜，所述保护膜成分全部为MOCVD沉积工艺过程中所需气体的元素组成，或者不会与MOCVD反应气体反应的成分。保护膜的成分包括由铝、镓、镁中的至少一种及氮、氧中的至少一种构成的化合物或者为不与MOCVD工艺中的气体反应的其他化学特性稳定的材料。所述保护膜不会在MOCVD工艺中与反应气体反应或者给MOCVD反应腔增加污染物，因而缩短MOCVD生产工艺的初始化工艺时间，提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有疏松度为零的致密组织，保护膜的厚度范围为1纳米-0.5毫米。

主权项

一种改善MOCVD反应工艺的部件，包括一不锈钢主体，其特征在于：所述不锈钢主体表面涂覆一层保护膜，所述保护膜的成分包括由铝、镓、镁中的至少一种及氮、氧中的至少一种构成的化合物,或者不与MOCVD工艺中的气体反应的其他材料，所述保护膜具有疏松度为零的致密组织。