半导体元件的制造方法及其半导体元件

专利号：CN200710079401.0

公布日：2007-09-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

纳米片、应用及其制备方法

专利号：CN202111196162.3

公布日：2023-04-18

申请人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司

用半导体微粒的分散体制造半导体器件的方法

专利号：CN200510083398.0

公布日：2006-01-25

申请人：精工爱普生株式会社

用于将多个晶种基质设置在载体元件上的方法和带有晶种基质的载体元件

专利号：CN201780068513.8

公布日：2022-10-28

申请人：奈克斯沃夫有限公司

量子点发光层

专利号：CN200680033449.1

公布日：2008-09-10

申请人：伊斯曼柯达公司

纳米复合热电转换材料及其制造方法

专利号：CN201280039006.9

公布日：2014-04-16

申请人：丰田自动车株式会社

具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料

专利号：CN201280065133.6

公布日：2014-09-24

申请人：太平洋光技术公司

使用填充四面体半导体的半导体器件

专利号：CN200710142429.4

公布日：2008-03-12

申请人：株式会社东芝

基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法

专利号：CN200910112318.8

公布日：2010-01-06

申请人：厦门大学

微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法

专利号：CN202110423645.6

公布日：2022-06-14

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

柔性液晶显示器及其背光源

专利号：CN201711368855.X

公布日：2018-05-15

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

光电子器件和包括光电子器件的图像传感器

专利号：CN202010804191.2

公布日：2021-08-06

申请人：三星电子株式会社

Ⅲ－Ⅴ发光器件

专利号：CN200680035651.8

公布日：2008-09-24

申请人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

半导体材料和用于所述半导体材料的萘并呋喃基质化合物

专利号：CN201680010833.3

公布日：2019-05-07

申请人：诺瓦尔德股份有限公司

半导体器件和制造方法

专利号：CN201210557719.6

公布日：2013-06-26

申请人：英飞凌科技股份有限公司