[发明专利]光电子器件和包括光电子器件的图像传感器在审
| 申请号： | 202010804191.2 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113224199A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 赵庆相;白瓒郁;金镐正 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0352;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种具有低暗噪声和高信噪比的光电子器件。该光电子器件可以包括：第一半导体层，被掺杂为具有第一导电类型；第二半导体层，设置在第一半导体层的上表面上并且被掺杂为具有与第一导电类型在电学上相反的第二导电类型；透明基质层，设置在第二半导体层的上表面上；多个量子点，布置成与透明基质层接触；以及第一电极和第二电极，第一电极设置在透明基质层的第一侧，第二电极设置在透明基质层的与第一侧相对的第二侧，其中，第一电极和第二电极电连接到第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 包括 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010804191.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
