有机发光显示器

专利号：CN201310179732.7

公布日：2018-07-20

申请人：三星显示有限公司

一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件

专利号：CN202211138213.1

公布日：2023-01-20

申请人：西安电子科技大学芜湖研究院

一种提高放电管浪涌能力的版图结构

专利号：CN202111444182.8

公布日：2022-03-11

申请人：富芯微电子有限公司

适用于防空导弹的杀伤区和发射区计算方法及系统

专利号：CN202211605769.7

公布日：2023-07-21

申请人：上海机电工程研究所

锗硅HBT器件及制造方法

专利号：CN201910061695.7

公布日：2021-11-09

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件

专利号：CN201110212579.4

公布日：2012-04-11

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

沟槽栅IGBT器件及其制备方法

专利号：CN202010425278.9

公布日：2021-11-23

申请人：无锡华润上华科技有限公司

具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT

专利号：CN201310289169.9

公布日：2013-12-11

申请人：电子科技大学

一种IGBT器件及制造方法

专利号：CN202310193570.6

公布日：2023-04-07

申请人：吉林华微电子股份有限公司

功率NPN型晶体管

专利号：CN201520177374.0

公布日：2015-08-05

申请人：傲迪特半导体（南京）有限公司

一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法

专利号：CN201811383553.4

公布日：2019-03-19

申请人：山东农业工程学院

电子源和成像装置

专利号：CN93115685.8

公布日：2000-07-05

申请人：佳能株式会社

背接触式太阳能电池

专利号：CN201620021387.3

公布日：2016-06-15

申请人：上海大族新能源科技有限公司

带悬浮发射区的功率晶体管

专利号：CN201120257627.7

公布日：2012-04-11

申请人：江苏东光微电子股份有限公司

一种放电管

专利号：CN201410797530.3

公布日：2015-03-25

申请人：常熟市聚芯半导体科技有限公司