半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法

专利号：CN202210156426.0

公布日：2022-07-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置及其制作方法

专利号：CN202011384166.X

公布日：2022-06-03

申请人：联华电子股份有限公司

垂直型半导体器件

专利号：CN200910221278.0

公布日：2010-06-16

申请人：三星电子株式会社

半导体装置

专利号：CN202010285121.0

公布日：2021-02-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202210286222.9

公布日：2022-08-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置和制造该半导体装置的方法

专利号：CN202110952852.0

公布日：2022-04-22

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体装置及其制造方法

专利号：CN201510066898.7

公布日：2015-08-26

申请人：丰田合成株式会社

用于制造电子装置的方法和电子装置

专利号：CN201710929898.4

公布日：2021-07-27

申请人：英飞凌科技股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110305771.1

公布日：2021-09-24

申请人：艾普凌科有限公司

半导体装置、接面电路及制造半导体装置的方法

专利号：CN202210233305.1

公布日：2022-07-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有水平半导体元件和垂直半导体元件的半导体部件

专利号：CN201310412957.2

公布日：2017-10-27

申请人：台达电子工业股份有限公司

用于电阻式晶种衬底电镀的导电总线条的结构及方法

专利号：CN201711213472.5

公布日：2021-03-19

申请人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

半导体装置和电子设备

专利号：CN201810153683.2

公布日：2019-08-30

申请人：三垦电气株式会社

半导体装置

专利号：CN202211663754.6

公布日：2023-10-17

申请人：三星电子株式会社

氮化物基半导体装置及其制造方法

专利号：CN202180003947.6

公布日：2022-02-22

申请人：英诺赛科（苏州）科技有限公司