一种异质结自整流忆阻器及其制备方法

专利号：CN202210589118.7

公布日：2022-08-09

申请人：西南大学

一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用

专利号：CN201910490540.5

公布日：2022-08-02

申请人：南京邮电大学

一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用

专利号：CN202111062065.5

公布日：2022-01-18

申请人：山东师范大学

一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法

专利号：CN202211671817.2

公布日：2023-04-18

申请人：南京邮电大学

一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用

专利号：CN202211345253.3

公布日：2023-01-03

申请人：上海交通大学

一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器

专利号：CN201810888810.3

公布日：2019-01-04

申请人：北京航空航天大学

一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法

专利号：CN202111006746.X

公布日：2021-11-30

申请人：苏州科技大学

一种MoTe2-x

专利号：CN201910598482.8

公布日：2021-01-05

申请人：华中科技大学

一种忆阻器及其制作方法、电器件

专利号：CN202211508570.2

公布日：2022-12-30

申请人：苏州浪潮智能科技有限公司

一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法

专利号：CN202110608381.1

公布日：2022-11-01

申请人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）

一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法

专利号：CN202110245476.1

公布日：2023-04-18

申请人：华中科技大学

一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用

专利号：CN202111672945.4

公布日：2022-04-12

申请人：深圳大学

非易失性α-Fe2

专利号：CN202210263780.3

公布日：2022-06-14

申请人：广西科技大学

一种透明的自选色的异质结忆阻器及其制备方法

专利号：CN202110196024.9

公布日：2022-07-05

申请人：华中科技大学

一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法

专利号：CN201910779092.0

公布日：2019-11-29

申请人：华中科技大学