[发明专利]一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用

摘要

本发明提供的一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用，所述光调控忆阻器的异质结层为黑磷BP和CsPbBr3 QDs通过自组装形成的CsPbBr3 QDs‑BP异质结，其具有高电荷载流子迁移率以及高吸收系数；忆阻器制作在柔性基底上，通过合适的溶液配比，器件表现出易失特性；所述忆阻器利用光刺激来激发模拟神经元功能。将所述光调控忆阻器应用于LIF模型人工神经元，显示了基于光刺激电位计算关键特征：强度调制频率响应，通过不同的光强实现对神经元的刺激脉冲频率调控，光强越强，神经元的输出脉冲频率越高。作为突触后神经元，其被证明适用于无监督脉冲神经网络。这些结果表明，本发明所开发的人工神经元可以实现脉冲神经元的基本功能，具有很强的神经形态计算潜力。