易失性/非易失性SRAM器件

专利号：CN201580067948.1

公布日：2017-08-01

申请人：高通股份有限公司

非易失性数据备份和恢复方法

专利号：CN201310039982.0

公布日：2013-05-01

申请人：广东欧珀移动通信有限公司

非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法

专利号：CN200980107095.4

公布日：2011-01-26

申请人：罗姆股份有限公司

具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置

专利号：CN201811580481.2

公布日：2023-08-15

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

包括不同类型的存储单元的半导体器件

专利号：CN201811541111.8

公布日：2019-08-30

申请人：三星电子株式会社

具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置

专利号：CN201310532311.8

公布日：2019-01-18

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法

专利号：CN200810177916.9

公布日：2009-05-27

申请人：三星电子株式会社

一种保护易失性记录装置数据的系统与方法

专利号：CN200510023065.9

公布日：2007-07-04

申请人：技嘉科技股份有限公司

一种存储数据的方法及装置

专利号：CN201410419611.X

公布日：2017-11-17

申请人：华为技术有限公司

多位非易失性随机存取存储器单元

专利号：CN201680066177.9

公布日：2019-09-13

申请人：赛普拉斯半导体公司

非易失性存储电路

专利号：CN201980015138.X

公布日：2020-12-01

申请人：索尼半导体解决方案公司

非易失性静态随机存取存储器元件

专利号：CN200910170438.3

公布日：2011-03-30

申请人：联华电子股份有限公司

非易失性存储方法及装置

专利号：CN201810727728.2

公布日：2022-05-13

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体装置

专利号：CN201680068300.0

公布日：2022-10-11

申请人：索尼公司

一种非易失性数据的读写方法及装置

专利号：CN202010232002.9

公布日：2020-08-11

申请人：北京经纬恒润科技有限公司