一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件

专利号：CN201110243454.8

公布日：2011-11-30

申请人：苏州市职业大学

半导体结构

专利号：CN201510150356.8

公布日：2016-11-23

申请人：联华电子股份有限公司

低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件

专利号：CN201210014741.6

公布日：2012-07-11

申请人：苏州市职业大学

半导体结构的制造方法及半导体结构

专利号：CN202310450453.3

公布日：2023-07-07

申请人：长鑫存储技术有限公司

一种半导体装置及其制造方法

专利号：CN202210123457.6

公布日：2022-05-24

申请人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司

P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法

专利号：CN201410357335.9

公布日：2017-03-01

申请人：上海华力微电子有限公司

双向式硅控整流器

专利号：CN201811168635.7

公布日：2022-04-01

申请人：晶焱科技股份有限公司

瞬时电压抑制装置

专利号：CN202210907230.0

公布日：2022-11-08

申请人：晶焱科技股份有限公司

CMOS器件及其制造方法

专利号：CN201010593032.9

公布日：2012-07-04

申请人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

硅基光调制器

专利号：CN201410621547.3

公布日：2018-07-06

申请人：中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所

半导体结构的形成方法

专利号：CN201310398736.4

公布日：2017-12-29

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

具有用于负电压操作的隔离式SCR的ESD保护电路

专利号：CN201380053201.1

公布日：2019-09-24

申请人：德州仪器公司

一种横向功率MOS器件

专利号：CN201120309214.9

公布日：2012-04-25

申请人：苏州市职业大学

硅基光调制器

专利号：CN201420660354.4

公布日：2015-02-11

申请人：江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所

显示基板的制造方法和显示基板

专利号：CN201410183483.3

公布日：2014-08-20

申请人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司