一种基于锑化物材料制备铟稼氧纳米线半导体的生长方法

专利号：CN202310690042.1

公布日：2023-08-01

申请人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

一种氧化铟镓锌复合粉末的制备方法

专利号：CN201710137910.8

公布日：2017-08-08

申请人：郑州大学

LED的量子阱结构及其生长方法

专利号：CN201210403280.1

公布日：2013-01-16

申请人：合肥彩虹蓝光科技有限公司

氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备

专利号：CN201922462669.3

公布日：2020-08-11

申请人：成都中电熊猫显示科技有限公司

一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法

专利号：CN201610821751.9

公布日：2017-02-01

申请人：齐鲁工业大学

一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法

专利号：CN201610821752.3

公布日：2017-02-01

申请人：齐鲁工业大学

一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法

专利号：CN201610821730.7

公布日：2017-01-25

申请人：齐鲁工业大学

一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法

专利号：CN201610821769.9

公布日：2016-12-07

申请人：齐鲁工业大学

一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法

专利号：CN201610821772.0

公布日：2016-11-16

申请人：齐鲁工业大学

室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法

专利号：CN202211164269.4

公布日：2023-06-20

申请人：西安工程大学

高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法

专利号：CN201811395202.5

公布日：2019-04-05

申请人：武汉大学

一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用

专利号：CN202310409407.9

公布日：2023-07-28

申请人：湘潭大学

一种低温液相制备高迁移率铟钇氧薄膜晶体管的方法

专利号：CN201610821733.0

公布日：2017-05-10

申请人：齐鲁工业大学

一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法

专利号：CN201610821732.6

公布日：2017-05-10

申请人：齐鲁工业大学

一种低温液相制备高迁移率铟锌氧薄膜晶体管的方法

专利号：CN201610821734.5

公布日：2017-05-10

申请人：齐鲁工业大学