[发明专利]室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法有效
| 申请号： | 202211164269.4 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115497831B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王春兰;段楠;宋勇乐;赵明;刘晓红 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/786;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 弓长 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法，具体步骤如下：步骤1，在室温下采用射频磁控溅射铟镓锌氧复合靶材，并利用掩膜工艺在衬底上制备非晶铟镓锌氧有源层；步骤2，采用氧等离子体对非晶铟镓锌氧有源层进行处理，得到处理后的非晶铟镓锌氧有源层；步骤3，在室温下采用直流溅射铜靶材，并利用掩膜工艺在处理后的非晶铟镓锌氧有源层上制备源电极和漏电极。本发明方法能够在室温下沉积高性能非晶铟镓锌氧薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 优化 非晶铟镓锌氧 薄膜晶体管 界面 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工程大学，未经西安工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211164269.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种镍离子注入的P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用-202310915881.9
- 韦素芬;陈为军;李明逵;徐文俊;柴智;施倩倩;陈涛 - 厦门芯矽望集成电路技术有限公司;集美大学
- 2023-07-24 - 2023-10-20 - H01L21/425
- 本发明公开了一种镍离子注入的P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用，该制备方法通过离子注入的方式，将高阻态弱N型氧化镓薄膜电性转变为P型空穴导电的半导体薄膜，且提高空穴载流子的浓度，将三价Ni
- 室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法-202211164269.4
- 王春兰;段楠;宋勇乐;赵明;刘晓红 - 西安工程大学
- 2022-09-23 - 2023-06-20 - H01L21/425
- 本发明公开了室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法，具体步骤如下：步骤1，在室温下采用射频磁控溅射铟镓锌氧复合靶材，并利用掩膜工艺在衬底上制备非晶铟镓锌氧有源层；步骤2，采用氧等离子体对非晶铟镓锌氧有源层进行处理，得到处理后的非晶铟镓锌氧有源层；步骤3，在室温下采用直流溅射铜靶材，并利用掩膜工艺在处理后的非晶铟镓锌氧有源层上制备源电极和漏电极。本发明方法能够在室温下沉积高性能非晶铟镓锌氧薄膜晶体管。
- 一种基于等离子体处理有源层的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-202210094383.8
- 赵万鹏;叶志 - 海宁市产业技术研究院
- 2022-01-26 - 2022-07-29 - H01L21/425
- 本发明公开了基于等离子体处理有源层的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。制备方法包括：用金属氧化物在衬底上沉积并刻蚀成半导体有源层；在有半导体源层上面沉积形成栅绝缘层；透过栅绝缘层向半导体有源层注入低浓度的等离子体束；在栅绝缘层上沉积并刻蚀后形成栅电极；透过栅绝缘层向半导体有源层注入低浓度的等离子体束，从而制得沟道区、源极区和漏极区；再次沉积形成钝化绝缘层保护整个器件；开引线孔暴露出栅电极、源极区域和漏极区域；在各引线孔上沉积金属并刻蚀形成金属电极。本方法工艺简单、成本低，能够同时实现耗尽型、增强型晶体管，制得的晶体管具有具有高迁移率和高稳定性等优异电学性能。
- 一种铁电单晶薄膜及其制备方法-202111484387.9
- 丑修建;毕开西;薛刚;梅林玉;穆继亮;何剑;侯晓娟 - 中北大学
- 2021-12-07 - 2022-05-10 - H01L21/425
- 本申请提供了一种铁电单晶薄膜及其制备方法，包括：清洗铁电单晶与衬底表面；将衬底与铁电单晶进行间接键合，同时与基板进行临时键合；采用不同粒径的磨料对铁电单晶进行减薄抛光；将抛光后的铁电单晶从基板表面剥离，清洗铁电单晶表面，得到铁电单晶薄膜。本申请通过间接键合与化学机械抛光方法代替离子注入方法，可以避免由离子注入引起的薄膜表面晶格损伤，进而获得低厚度、高平整度、低损伤的铁电单晶薄膜，满足高精度器件制备需求，可应用于集成电路制造，微传感器、微执行器等功能元件的制造；可以实现常温环境下制备，减少了在低温—高温—低温的变换过程中铁电单晶由于热失配原因而产生的变形、碎裂等问题，提高产物的成品率。
- 一种氧化物半导体的P型掺杂方法-202111458413.0
- 盛况;宛江彬;王珩宇;任娜 - 浙江大学杭州国际科创中心
- 2021-12-01 - 2022-04-05 - H01L21/425
- 本发明涉及半导体技术领域中的一种氧化物半导体的P型掺杂方法，包括离子注入、高温退火和退火掩膜保护，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层注入N元素，N元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，高温退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以1300℃及以上的温度退火，相比于传统的后退火工艺，采用了更高的温度以修复注入产生的晶格损伤，并提高注入掺杂受体的激活率，以形成有效的掺杂。退火掩膜保护层是通过在注入后的表面形成一层AlN薄膜，从而阻止在高温退火时N的扩散，并且可以有效阻止高温下衬底材料在高温下的升华。
- 一种基于共注的Ga
- 盛况;宛江彬;王珩宇;任娜 - 浙江大学杭州国际科创中心
- 2021-12-15 - 2022-04-05 - H01L21/425
- 本发明涉及一种基于共注的Ga2O3的P型掺杂方法，包括离子注入、后退火和表面抛光，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层先后注入氮元素和二价金属元素并用多能量注入以形成均匀的掺杂，氮元素和二价金属元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，同时预先氮元素的注入也会降低氧元素电负性太高引起的空穴的自陷效应，可以增加Ga2O3的P型区的空穴迁移率，同时引入的另一种受体掺杂杂质可以使受体掺杂浓度升高，后退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以一定的温度退火以修复晶格损伤并激活掺杂元素，表面抛光是将进行过两次离子注入和退火的晶圆面向下抛光一定厚度以降低离子注入后晶圆表面的粗糙度同时消除高温退火后掺杂元素向外扩散导致的表面掺杂不均匀。
- 基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法-201910774716.X
- 王天琦;张延清;齐春华;马国亮;刘超铭;王新胜;李何依;周佳明;霍明学 - 哈尔滨工业大学
- 2019-08-21 - 2022-03-25 - H01L21/425
- 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga
- 一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件-202111452356.5
- 王金翠;张涛;张秀全;连坤;刘桂银 - 济南晶正电子科技有限公司
- 2021-12-01 - 2022-03-04 - H01L21/425
- 本申请公开了一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件，所述方法包括：准备薄膜晶圆与非同质衬底晶圆；对所述薄膜晶圆执行两次离子注入处理，其中第一次离子注入的深度与第二次离子注入的深度差值为20nm‑200nm，得到包含余质层、第一注入层、第二注入层和薄膜层四层结构的薄膜晶圆注入片；对所述薄膜晶圆注入片与所述非同质衬底晶圆执行键合，得到键合体；对所述键合体执行热处理，得到分离气泡层；在所述分离气泡层处剥离掉所述余质层，使得所述余质层与所述薄膜层分离，得到复合薄膜。本申请通过二次离子注入，使薄膜晶圆和衬底晶圆不会产生较大热膨胀系数的差异，也就不会导致薄膜层炸裂，进而提高了薄膜晶圆的成品良率。
- 半导体装置的制造方法以及半导体装置-201710157075.4
- 冈彻;田中成明 - 丰田合成株式会社
- 2017-03-16 - 2020-09-29 - H01L21/425
- 本发明提供一种不进行p型杂质的离子注入，便抑制电场集中在沟槽底面的外周附近的技术。是具有沟槽栅结构的半导体装置的制造方法,其中，在n型半导体区域形成工序中，在位于n型半导体区域的下方的n型半导体层的至少一部分，形成p型半导体层所包含的p型杂质扩散的p型杂质扩散区域。
- 共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法-201810588414.9
- 刘胜;曹强;王鹏洁 - 武汉大学
- 2018-06-08 - 2019-06-21 - H01L21/425
- 本发明属于氧化锌薄膜制作技术领域，具体提供了共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，通过离子束发生装置得到铒离子束和氮离子束，铒离子束和氮离子束经过质量分析器后进入加速装置，然后经过中性束偏移器，然后经过聚焦装置聚焦成混合离子束，最后经过偏转扫描装置后入射到氧化锌薄膜上，并通过飞秒激光退火装置对氧化锌薄膜进行瞬态退火。通过精确的工艺工序得到了掺杂铒和氮的p型氧化锌材料，并经过后处理得到p型氧化锌薄膜半导体材料，该材料性能可靠稳定，且具有高空穴密度的特点；该制作方法具有可重复性操作的特点，当制作平台建立后便可以不断生产共掺杂铒和氮的p型氧化锌薄膜半导体材料，利于大规模生产。
- 一种等离子喷嘴以及等离子处理装置-201820190533.4
- 蔡卫 - 深圳市诚峰智造有限公司
- 2018-02-02 - 2018-08-14 - H01L21/425
- 本实用新型公开了一种等离子喷嘴，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。还公开了一种等离子处理装置，包括等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。本实用新型改变了传统方式的等离子束的路径，让等离子束偏斜一定角度从喷嘴中出来，从而使等离子处理装置的适用性更加广泛，不仅可以处理平面产品，而且可以处理内壁槽、隐藏槽、燕尾槽等槽式产品。
- Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法-201280043331.2
- 佐佐木公平 - 株式会社田村制作所
- 2012-08-02 - 2014-05-07 - H01L21/425
- 本发明提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族元素作为供体杂质，在Ga2O3系单晶体（1）中形成第IV族元素的浓度比未注入第IV族元素的区域高的供体杂质注入区域（3）的工序，和通过800℃以上的退火处理，从而使供体杂质注入区域（3）中的第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。
- 晶体管-201190000075.X
- 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
- 2011-02-23 - 2013-05-22 - H01L21/425
- 本实用新型涉及一种晶体管。本实用新型的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中所述源区包含在平行于衬底表面的方向上排列的多个位错。
- 晶体管-201190000072.6
- 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 - 中国科学院微电子研究所
- 2011-02-21 - 2012-12-26 - H01L21/425
- 本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管（100）包括：半导体衬底（102）；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质（104）；形成在所述栅极电介质上的栅极（106）；位于所述栅极电介质下方的沟道区（112）；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区（108）和漏区（110），其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错（101），该组位错包含至少两个位错。
- 利用直线加速器的厚层转移的方法和结构-200780041135.0
- 弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 - 硅源公司
- 2007-11-06 - 2009-09-16 - H01L21/425
- 一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。
- 连续大面积扫描注入工艺的方法与系统-200780026734.5
- 弗兰乔斯·J·亨利 - 硅源公司
- 2007-07-25 - 2009-07-22 - H01L21/425
- 公开了一种使用连续的大面积扫描注入工艺制造掺杂基底的方法。在一个实施例中，本方法包括在具有进口和出口的腔中提供一种可移动的轨道构件。本方法也可以包括提供包括第一多个瓦片的第一基底。本方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动的轨道构件上。对第一多个瓦片实施扫描注入工艺。本方法也包括在真空中保持包括第二多个瓦片的第二基底。本方法包括将包括第二多个瓦片的第二基底从入口转移到可移动的轨道构件上。本方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓦片实施注入工艺。
- 驱动电路和驱动电路中使用的漏极扩展晶体管-200780022656.1
- S·P·彭哈卡 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2007-04-20 - 2009-07-01 - H01L21/425
- 一种晶体管(100)，其包括第一导电类型的源极区，该源极区与第一半导体区电连通。该晶体管还包括第一导电类型的漏极区，该漏极区与不同于第一半导体区的第二半导体区电连通。第一半导体区和第二半导体区之间存在一界面。该晶体管还包括一电压分接区，该电压分接区包括与漏极区(118)相比位置更靠近界面的至少一部分。还公开了一种混合技术电路。
- 改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体-200780014202.X
- 冯江蔚;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;M·J·莫尔;M·A·斯托克 - 康宁股份有限公司
- 2007-04-16 - 2009-05-20 - H01L21/425
- 制造玻璃上半导体(SiOG)结构的方法和设备，其包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入过程，在该给体半导体晶片中产生脱落层；采用电解使脱落层的注入表面与玻璃基片结合；将脱落层与给体半导体晶片分离，因而露出至少一个裂开的表面；和对至少一个裂开的表面进行湿蚀刻。
- 铜互连布线及其形成方法和装置-200780011696.6
- A·J·勒恩;S·R·舍曼;R·M·格夫肯;J·J·豪塔拉 - TEL埃皮恩公司
- 2007-02-06 - 2009-04-22 - H01L21/425
- 在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。
- 形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构-200680003369.1
- L.·马修;V.·R.·克拉冈塔;D.·C.·辛格 - 飞思卡尔半导体公司
- 2006-02-01 - 2009-03-11 - H01L21/425
- 一种用于形成半导体器件(10)的方法，包括形成半导体衬底(2)；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极(16)；在栅电极之下形成栅极电介质。该栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域(42)、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域(44)、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域(14)，其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。
- 通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法-200680043695.5
- 韦德·A·克鲁尔;托马斯·N·霍尔斯基 - 山米奎普公司
- 2006-12-06 - 2008-11-26 - H01L21/425
- 本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的PMOS晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。由此新颖方法产生两个工艺：(1)对USJ形成的扩散控制；和(2)用于应力工程的高剂量碳植入。结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼团簇植入来说明对USJ形成的扩散控制。更明确地说，首先，以与后续硼植入大致相同的剂量将例如C－IeHx+的团簇碳离子植入到源极/漏极区中；然后优选使用例如B18Hx+或BioHx+的硼氢化物团簇，进行浅硼、硼团簇、磷或磷团簇的离子植入以形成源极/漏极延伸。经后续的退火和活化后，由于碳原子吸集间隙缺陷而减少硼扩散。
- 利用阴影掩膜进行电子器件制造的方法和设备-200680035042.2
- 托马斯·P·布罗迪 - 阿德文泰克全球有限公司
- 2006-09-26 - 2008-09-24 - H01L21/425
- 电子器件被形成在通过多个沉积容器逐渐形成的衬底上。每一个沉积容器都包括沉积材料源，并至少具有两个与之相关的阴影掩膜。这两个掩膜中的每一个交替地定位在对应沉积容器内，以通过在掩膜定位中的孔，将沉积材料图案成形到衬底上，并定位在邻近的清洗容器中以清洗掩膜。在衬底上的图案成形和至少一个掩膜的清洗是同时执行的。
- 降低磷离子注入（0001）取向的4H－碳化硅电阻率的方法-200410049770.1
- 高欣;孙国胜;李晋闽;王雷;赵万顺 - 中国科学院半导体研究所
- 2004-06-28 - 2006-01-04 - H01L21/425
- 一种降低磷离子注入(0001)取向的4H－碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H－碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H－碳化硅(0001)晶面；注入的样品在纯净的氩气保护下高温退火。本发明通过控制磷离子注入速率，减少了注入损伤，从而改善了退火后注入层的结晶质量，使得在工艺处理难度降低的情况下(例如，注入温度和退火温度)，达到降低注入层电阻率的目的，样品表面平整光滑，而且并未观察到明显的表面Si的蒸发。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
