制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法

专利号：CN202011501973.5

公布日：2021-06-22

申请人：原子能和替代能源委员会

一种碲镉汞母液制备方法

专利号：CN202310873282.5

公布日：2023-10-13

申请人：浙江珏芯微电子有限公司

一种具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌

专利号：CN201910912650.6

公布日：2020-01-31

申请人：安徽省含山县锦华氧化锌厂

偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件

专利号：CN02140273.6

公布日：2004-01-07

申请人：中国科学院半导体研究所

场效应晶体管

专利号：CN98100840.2

公布日：2004-06-23

申请人：松下电器产业株式会社

变形异质接面双极性晶体管

专利号：CN00124312.8

公布日：2001-05-23

申请人：稳懋半导体股份有限公司

掺杂硫的磷化铟单晶棒制法及单晶棒、单晶片及制法、用途

专利号：CN202310032681.9

公布日：2023-05-02

申请人：北京通美晶体技术股份有限公司

一种锡掺杂氧化铟纳米阵列及其制备方法

专利号：CN202111009384.X

公布日：2023-01-03

申请人：西安理工大学

一种镍掺杂氧化铟纳米颗粒及其制备方法与应用

专利号：CN202111022387.7

公布日：2023-06-20

申请人：山东大学;长春设备工艺研究所

一种铟覆金刚石掺杂纳米银烧结膏的制备方法及烧结方法

专利号：CN201911031566.X

公布日：2021-10-08

申请人：深圳第三代半导体研究院

一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法

专利号：CN201110136088.6

公布日：2011-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

一种低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法及烧结方法

专利号：CN201911030750.2

公布日：2020-02-11

申请人：深圳第三代半导体研究院

一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

专利号：CN201610253781.4

公布日：2019-02-12

申请人：杭州立昂东芯微电子有限公司

磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管

专利号：CN02117379.6

公布日：2003-12-03

申请人：中国科学院微电子中心

发光二极管芯片

专利号：CN200510114474.X

公布日：2007-05-02

申请人：璨圆光电股份有限公司