本发明公开了一种CdS薄膜的制备方法,其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:第一步,制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;第二步,近空间升华:在真空条件下,在保护气气氛下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;第三步,退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的,减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率;还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时,其膜厚分布均匀。
一种CdS薄膜的制备方法,其包括:a、制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;b、近空间升华:在10-3-103Pa下,在保护气保护下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;c、退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。
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