[发明专利]具有阻挡层的p-GaN栅HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210377176.3 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936359A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 于国浩;黄兴杰;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有阻挡层的p‑GaN栅HEMT器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构的步骤，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；制作与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极的步骤；并且，所述制备方法还包括：在所述第三半导体层上设置阻挡层，之后采用等离子体对所述第三半导体层进行处理，以将所述第三半导体层的栅源区域和栅漏区域内的半导体材料转化为高阻材料。本发明提供的方法能够有效减小等离子体处理对材料带来的注入损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的HEMT器件表面漏电小、关态损耗低、耐压高、动态性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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