[发明专利]等离子体源

权利要求书

1.一种等离子体源，包括：间隔分开的第一和第二等离子体源单元，各等离子体源单元均包括靶和磁性装置；其中，所述各磁性装置均创建了在它们各自的靶上形成闭环磁阱的磁场；并且，所述磁场相互作用以形成：在位于所述等离子体源之间的区域中的大致很低磁场强度的范围；以及从位于所述等离子体源单元之间的所述区域延伸开来的导引磁场。

2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括用于电偏置所述等离子体源单元的装置。

3.根据权利要求2所述的等离子体源，其特征在于，所述电偏置为以下任意一种或多种：DC；脉冲DC；1到几百赫兹的AC；千赫兹级的AC或脉冲DC；兆赫兹级的AC或脉冲DC；HIPIMS；组合的放电模式；以及弧等离子体放电模式。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体源，其特征在于，在所述等离子体源单元之间，或者所述等离子体源单元与附加阳极/阴极之间施加所述电偏置。

5.根据权利要求4所述的等离子体源，其特征在于，所述闭环磁阱包括大致垂直于等离子体放电的电场的磁场。

6.根据权利要求5所述的等离子体源，其特征在于，用于电子逸出的通道大致垂直于所述电场。

7.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括可消耗靶。

8.根据权利要求7所述的等离子体源，其特征在于，所述靶位于所述磁性装置的附近。

9.根据权利要求8所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括相对所述磁性装置固定的一块可消耗材料。

10.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括管状靶。

11.根据权利要求10所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括布置为围绕所述磁性装置的管状靶。

12.根据权利要求11所述的等离子体源，其特征在于，所述管状靶安装为绕所述磁性装置旋转。

13.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述第一和第二等离子体源单元的所述磁性装置的极性是相对地布置的。

14.根据权利要求13所述的等离子体源，其特征在于，所述磁性装置包括磁体或一组的多个磁体。

15.根据权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，所述磁体或多个磁体为永磁体和/或电磁体。

16.根据权利要求5所述的等离子体源，其特征在于，各等离子体源单元的所述磁体或多个磁体形成磁场，该磁场可以用磁场线表示，该磁场线与间隔位置上的所述靶相交，但所述磁场线弯曲离开所述靶，以形成所述闭环磁阱或多个闭环磁阱。

17.根据权利要求6所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源单元的所述磁场相互作用，并且可以用从所述靶向外延伸且延伸离开位于所述等离子体源单元之间的区域的磁场线表示，以形成所述通道。

18.根据权利要求17所述的等离子体源，其特征在于，在使用中，所述通道包括具有相对低磁场强度的空间，该空间对所述等离子体内的离子流具有极低阻力，以创建最小阻力路径，所述等离子体的离子优选地沿着该最小阻力路径流动。

19.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源单元相对彼此是倾斜的，以创建偏置，从而在使用中使得所述等离子体优选地从所述源的一边射出。

20.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括三个等离子体源单元。

21.根据权利要求20所述的等离子体源，其特征在于，所述三个等离子体源单元排布为U形形状，使得所述磁场彼此相互作用，以形成从所述U形形状的开口部分向外延伸的单个通道。

22.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括一对等离子体源单元和一表面。

23.根据权利要求22所述等离子体源，其特征在于，所述表面位于所述一对等离子体源单元的一边处以形成U形形状，使得所述表面与所述等离子体源单元的磁场相互作用，以形成从所述U形形状的开口部分向外延伸的单个通道。