[发明专利]一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法有效
申请号: | 201410047253.4 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN103887431B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 蔡一茂;刘业帆;方亦陈;王宗巍;李强;余牧溪;潘越;黄如 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多值非易失性 有机 存储器 制备 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410047253.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钛合金热复合成形数值模拟方法
- 下一篇:便携式均温燃气烤炉
- 同类专利
- 甲氧基芳基表面改性剂和包含这样的甲氧基芳基表面改性剂的有机电子器件-201580009154.X
- M·杰斯伯;M·汉贝格尔;J·申克;M·奥特;K·米伦 - 默克专利股份有限公司;创新实验室有限公司;不伦瑞克工业大学;马普科技促进协会
- 2015-02-16 - 2019-08-16 - H01L51/30
- 本发明涉及甲氧基芳基表面改性剂。此外,本发明还涉及包含这样的甲氧基芳基表面改性剂的有机电子器件。
- 基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法-201610763995.6
- 贾仁需;汪钰成;厐体强;张玉明 - 西安电子科技大学
- 2016-08-29 - 2019-07-16 - H01L51/30
- 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面生长电子传输层;在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;在电子传输层表面生长Au材料形成源漏电极,最终形成NMOS器件。由于本发明的晶体管采用电子传输层传输电子阻挡空穴,克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的MOSFET光电场效应晶体管中电子空穴复合,光电转换效率低的缺点,即晶体管采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子,形成n型MOSFET光电场效应晶体管,具有驱动功率小,开关速度快,光电转换效率大的优点。
- 一种π共轭有机半导体分子自组装结构及其制备方法-201610839194.3
- 刘晓平;江鹏;张占军;梁明会;魏倩;李鑫 - 国家纳米科学中心
- 2016-09-21 - 2019-05-28 - H01L51/30
- 两种具有不同对称性的盘状多环芳烃n型有机半导体分子,由CDI或BPMI在基底表面沿能量最低的方向与基底作用而成,分子薄膜通过内部的态势变化,逐渐达到热力学的稳定,形成了高密度排列的二维结构。本发明利用多环盘状芳烃有机分子在固体表面的自组装的方法,获得了高度有序的半导体单层薄膜,其对于进一步调节和优化场效应晶体管、二极管、发光二极管、太阳能电池等方面的电子传输有及其重要的意义。
- 晶体管、半导体膜、半导体材料及它们的制造或合成方法、化合物、晶体管用材料、涂布液-201580014491.8
- 津山博昭;野村公笃;宇佐美由久;福崎英治;小柳雅史;北村哲;渡边哲也;冈本敏宏;竹谷纯一 - 富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
- 2015-03-26 - 2019-05-14 - H01L51/30
- 一种有机晶体管,其具有半导体有源层,该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5;Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7;含有Y和Z的环为芳香族杂环;R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合;R1、R2、R5~R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;m和n为0~2的整数),该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
- 环胺表面改性剂和包含这样的环胺表面改性剂的有机电子器件-201580009155.4
- M·杰斯伯;M·汉贝格尔;J·申克;M·奥特;K·米伦 - 默克专利股份有限公司;创新实验室有限公司;不伦瑞克工业大学;马普科技促进协会
- 2015-02-16 - 2019-04-26 - H01L51/30
- 本发明涉及环胺表面改性剂。此外,本发明还涉及包含这样的环胺表面改性剂的有机电子器件。
- 一种有机阻变存储器-201811279391.X
- 李颖弢;李晓燕 - 兰州大学
- 2018-10-30 - 2019-03-29 - H01L51/30
- 一种有机阻变存储器,包括衬底和衬底上的上电极和下电极,所述上电极与下电极之间设有阻变功能层,所述上电极和下电极均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。本发明使用有机阻变材料取代了传统的无机阻变材料,是适应未来绿色环保发展的器件,本发明提供的阻变存储器使用了有机导电聚合物作为上电极层、下电极层,有别于传统使用金属电极、氧化物无机材料作为阻变存储层制备的存储器件。本发明提供的阻变存储器结构和制造工艺简单、制作成本低、并且能够在柔性电子领域具有较大的应用前景。
- 有机薄膜、使用其的有机半导体装置及有机晶体管-201480026081.0
- 半那纯一;饭野裕明;渡边泰之;小池淳一郎;牧博志;立川丰;宫胁敦久;樱井美弥 - DIC株式会社;国立大学法人东京工业大学
- 2014-03-06 - 2019-03-08 - H01L51/30
- 本发明提供不仅具有高迁移率、而且具有高性能稳定性的有机薄膜以及有机晶体管。更具体而言,提供有机薄膜、使用该有机薄膜而成的有机半导体装置、以及使用该有机薄膜作为有机半导体层的有机晶体管,该有机薄膜的特征在于,其为由包含具有芳香族稠环系结构的电荷传输性分子单元A、和作为侧链的单元B的化合物形成的膜,该化合物具有双分子层结构而形成所述有机薄膜。
- 有机半导体器件制造用组合物-201780034357.3
- 横尾健;铃木阳二;赤井泰之 - 株式会社大赛璐
- 2017-05-17 - 2019-02-05 - H01L51/30
- 本发明提供可形成稳定而具有高的载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。有机半导体器件制造用组合物,其含有作为溶剂的2,3‑二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,溶剂的含水率为0.25重量%以下。有机半导体材料:选自下组中的至少一种化合物:下述式(1‑1)所示的化合物、下述式(1‑2)所示的化合物、下述式(1‑3)所示的化合物、下述式(1‑4)所示的化合物、下述式(1‑5)所示的化合物及下述式(1‑6)所示的化合物(式中,X1、X2相同或不同,为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同,为0或1。R1、R2相同或不同,为氟原子、C1‑20烷基、C6‑13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,其中,上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代,上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1~10的烷基取代)。
- 一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法-201810789212.0
- 陆旭兵;唐乃维;麦嘉盈 - 华南师范大学
- 2018-07-18 - 2019-01-18 - H01L51/30
- 本发明提供一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法,该锆掺杂有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。该制备方法首先在清洗干净的衬底上沉积底栅电极,然后将镧锆氧化物前驱体涂覆在栅电极上后进行热处理,制得镧锆氧化物介电薄膜,接着在介电薄膜上旋涂修饰层,最后制备有源层和源漏电极,即可得到锆掺杂有机薄膜晶体管。本发明的锆掺杂有机薄膜晶体管具有低工作电压和高迁移率,其制备方法条件温和、操作简单、制备成本低。
- 一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法-201810757661.7
- 韩素婷;周晔;王燕;王展鹏;陈锦锐 - 深圳大学
- 2018-07-11 - 2018-12-25 - H01L51/30
- 本发明公开一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法,其中,所述闪速存储器包括从下至上依次设置的刚性基底电极、介电层、卤素钙钛矿层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极,所述卤素钙钛矿层的材料为甲胺铅碘盐,甲胺铅溴盐,甲脒铅碘盐和甲脒铅溴盐中的一种或多种。本发明将卤素钙钛矿层和聚合物层作为闪速存储器的浮栅层,使得基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器具有优秀的光响应和光调控特性;同时旋涂在卤素钙钛矿层之上的聚合物层能保护卤素钙钛矿材料,提高了器件的稳定性。因此,本发明基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器不仅提供了高效的累积光记录可编程功能以及电擦除模式过程,而且具有精准稳定的光可调控性能。
- 用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法-201610365619.1
- 雷米·马努克·安米安;苏珊·霍伊恩;托马斯·埃伯利;菲利普·施特塞尔 - 默克专利有限公司
- 2010-09-15 - 2018-11-30 - H01L51/30
- 本发明涉及一种用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法。具体地,本发明涉及一种通式(I)的官能化合物,其中A是官能结构要素,B是溶解度促进结构要素,和k是在1至20范围内的整数,其中所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔,和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L‑I),其中Ar1、Ar2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团,它们可被一个或多个任何希望类型的基团R取代。X在每种情况下彼此独立地是N或CR2,优选CH。l是0、1、2、3或4;其中虚线键表示与所述官能结构要素A结合的键。本发明还涉及通式(I)的优选化合物,并涉及包含这些化合物的电子器件。
- 半导体组合物-201780017792.5
- 迈克尔·詹姆斯·西姆斯;西蒙·多米尼克·奥吉尔 - 武汉新驱创柔光电科技有限公司
- 2017-04-25 - 2018-11-09 - H01L51/30
- 一种半导体组合物,包含半导体聚合物和半导体非聚合物多环化合物,其中半导体聚合物包含A和/或B的单元:其中R1、R2、R5、R6、R7、R8、x、y、p、q、r、R3、R4、R9、R10和R11具有说明书中定义的任何含义。
- 含有银纳米导线的组合物的图形化-201480051496.3
- W·勒韦尼希;R·萨奥尔;U·古恩特曼 - 贺利氏德国有限责任两合公司
- 2014-07-18 - 2018-11-06 - H01L51/30
- 本发明涉及制备层结构的方法,包括以下工艺步骤:·i)用至少含有银纳米导线和溶剂的组合物涂覆基材(2);·ii)至少部分地除去溶剂,从而得到被导电层涂覆的基材,所述导电层至少含有银纳米导线;·iii)使得导电层的选择区域与蚀刻组合物,从而降低在这些选择区域中的导电层的电导率,其中蚀刻组合物包含能释放氯、溴或碘的有机化合物,含有次氯酸根的化合物,含有次溴酸根的化合物,或至少两种这些化合物的混合物。本发明还涉及可通过此方法获得的层结构,层结构,层结构的用途,电子元件,以及有机化合物的用途。
- 一种Flash型电存储材料及其存储器件的制备方法-201510486823.4
- 孙治尧;李明霞;王淑红;蔡庄;赵曦;虢德超;常青;白续铎;马东阁 - 黑龙江大学
- 2015-08-10 - 2018-11-02 - H01L51/30
- 本发明属于电存储器新材料与技术领域,具体涉及一种Flash型电存储材料及其电存储器件的制备方法。本发明所述的Flash型电存储器件的制备过程:将芴‑三苯胺共轭聚合物或者芴‑三苯胺共轭聚合物与富勒烯衍生物PCBM的混合物,配置成5~15mg/mL的氯苯溶液,然后旋涂在干净的ITO玻璃上,真空干燥,除去溶剂;最后,利用真空蒸镀的方法将顶电极Al镀在聚合物上。利用本发明制备的有机电存储器件具有工艺操作简单、成本低的特点。此外,由于本发明中电存储材料具有电子供体基团(三苯胺)和电子受体(PCBM),因此制备的存储器件具有工作电压低、开关电流比大等特点,在信息存储领域中具有良好的应用前景。
- 有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用-201510172669.3
- 胡文平;徐春晖;甄永刚;董焕丽;张小涛 - 中国科学院化学研究所
- 2015-04-13 - 2018-06-29 - H01L51/30
- 本发明提供一种有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用。制备包括:在水面滴注有机半导体化合物溶液,待溶剂挥发后,在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核;在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液,静置,在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。所述有机半导体二维分子晶体材料在制备场效应晶体管器件中的应用也属于发明的保护范围。本发明利用水面以及水面上预先形成的籽晶作为生长核心,经溶液自组装,在水面上生长出大面积的二维分子晶体结构,用这些二维分子晶体结构制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压。
- 有机膜晶体管、有机半导体膜、有机半导体材料和它们的应用-201480039238.3
- 高久浩二;金子明弘;杉浦宽记;益居健介;米久田康智;平井友树;小柳雅史 - 富士胶片株式会社
- 2014-07-15 - 2018-04-10 - H01L51/30
- 本发明的目的在于提供一种使用了下述化合物的有机膜晶体管,该化合物在用于有机膜晶体管的半导体活性层中时的载流子迁移率高、在有机溶剂中具有高溶解性。本发明提供一种在半导体活性层中包含通式(1‑1)、(1‑2)或(101)所表示的化合物的有机膜晶体管(R1~R4为氢原子或取代基;Ar1~Ar2、Ar101、Ar102各自独立地表示杂亚芳基或亚芳基;V1、V2、V101为2价连接基团;m、p为0~6的整数;Cy为萘环或蒽环;n为2以上的整数;A为通式(101’)所表示的2价连接基团;RA1~RA6表示氢原子、取代基或者与通式(101)中的Ar101或Ar102键合的键,RA1~RA6中不同的2个基团表示与通式(101)中的Ar101键合的键和与Ar102键合的键)。
- 用于电子器件的化合物-201610118269.9
- 菲利普·斯托塞尔;弗兰克·福格斯;阿尔内·比辛;克里斯托夫·普夫卢姆;特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;克里斯蒂安·维尔格斯 - 默克专利有限公司
- 2012-11-15 - 2018-02-13 - H01L51/30
- 本发明涉及用于电子器件的化合物。具体地,本发明的主题是芳基氨基化合物和其在电子器件,例如有机电致发光器件中的用途。本发明另外的主题是如下的电子器件,所述电子器件在该器件的相应功能层中包含一种或多种所述化合物作为例如空穴传输材料。用于制备所述化合物的方法,和包含一种或多种所述化合物的制剂,同样是本发明的主题。
- 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置-201480029787.2
- 松下泰明;松村季彦 - 富士胶片株式会社
- 2014-05-22 - 2017-11-10 - H01L51/30
- 本发明的课题在于提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的有机半导体组合物、使用这种有机半导体组合物来制作的有机薄膜晶体管、以及使用上述有机薄膜晶体管的电子纸及显示装置。本发明的有机半导体组合物含有机半导体材料(A)及包含下述通式(B)所表示的重复单元的高分子化合物(B)。
- 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示器件-201480038721.X
- 松下泰明;松村季彦 - 富士胶片株式会社
- 2014-07-04 - 2017-09-12 - H01L51/30
- 本发明提供一种能够提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性且不会大幅降低有机薄膜晶体管的迁移率的有机半导体组合物及使用这种有机半导体组合物来制备的有机薄膜晶体管、电子纸及显示器件。本发明的有机半导体组合物包含有机半导体材料及迁移防止剂,该迁移防止剂包含化合物X及由通式(C)表示的化合物Y中的至少一种,该化合物X包含至少2个以上选自由通式(A)表示的基团及由通式(B)表示的基团组成的组中的基团。
- 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置-201480029667.2
- 松下泰明;松村季彦 - 富士胶片株式会社
- 2014-05-22 - 2017-08-25 - H01L51/30
- 本发明提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的有机半导体组合物、使用上述有机半导体组合物来形成的有机薄膜晶体管、以及使用上述有机薄膜晶体管的电子纸及显示装置。本发明的有机半导体组合物含有有机半导体材料;及含F迁移抑制剂,其选自由通式(1)~(8)中的任意一式所表示的化合物、包含通式(A)所表示的重复单元的高分子化合物(X)、以及包含通式(B)所表示的重复单元及通式(C)所表示的重复单元的高分子化合物(Y)组成的组。
- 使用环境稳健的溶液处理来制备纳米级有机铁电膜-201580060745.X
- 朴志勋;胡萨姆·N·阿尔沙雷夫;伊哈卜·N·乌达 - 沙特基础工业全球技术公司
- 2015-06-01 - 2017-08-18 - H01L51/30
- 本发明公开了一种用于制备具有铁电滞后性质的铁电膜的方法,所述方法包括(a)获得包含溶剂和溶解于其中的有机铁电聚合物的组合物;(b)将所述组合物加热至高于75℃且低于所述溶剂的沸点;(c)将加热的组合物沉积至衬底上;以及(d)使所述加热的组合物退火以形成具有铁电滞后性质和400nm或更小的厚度的铁电膜。
- 苯并噻吩并苯并噻吩衍生物、有机半导体材料、及有机晶体管-201380057558.7
- 宫胁敦久;楠本哲生;青木良夫;石塚亚弥;樱井美弥;渡边泰之;半那纯一 - DIC株式会社;国立大学法人东京工业大学
- 2013-09-10 - 2017-07-28 - H01L51/30
- 本发明涉及具有苯并噻吩并苯并噻吩骨架的有机半导体材料、含有它的有机半导体墨液、及使用了它的有机晶体管。本发明的课题在于,提供一种不经由复杂的过程也可以容易地提供高载流子迁移率的膜的有机半导体材料。发现具有特定结构的亚芳基乙炔结构的BTBT衍生物由于经由分子配置的秩序性高的高次的液晶相而结晶化,因此即使印刷成膜也不需要烦杂的热处理,容易形成高迁移率的膜,从而解决了本课题。
- 溶液工艺用有机半导体材料和有机半导体设备-201480005535.6
- 泷宫和男 - 日本化药株式会社
- 2014-01-22 - 2017-07-21 - H01L51/30
- 溶液工艺用有机半导体材料以式1表示。式1中,Y1和Y2分别独立地为硫属原子,R1和R2一个为支链烷基、另一个为氢。
- 有机薄膜晶体管、萘并双噻嗪化合物及其类似骨架的化合物与其用途-201480017627.6
- 米久田康智;高久浩二;外山弥 - 富士胶片株式会社
- 2014-03-19 - 2017-06-30 - H01L51/30
- 本发明提供一种有机薄膜晶体管、萘并双噻嗪化合物与其用途。在半导体活性层中含有通式(1)所表示的化合物的有机薄膜晶体管的载子迁移率高,反复驱动后的阈值电压变化小,具有在有机溶剂中的高溶解性(A1、A2分别独立地表示硫原子、氧原子或硒原子,R1~R6分别独立地表示氢原子或取代基。其中,R1~R6中的至少一个为*‑L‑R所表示的取代基。L表示二价连结基或2个以上的二价连结基键结而成的二价连结基。R表示氢原子、烷基、重复数为2以上的低聚氧亚乙基、硅原子数为2以上的低聚硅氧烷基、三烷基硅烷基)。通式(1)。
- 有机膜晶体管、有机半导体膜及有机半导体材料以及它们的应用-201480039503.8
- 金子明弘;高久浩二;米久田康智;平井友树;杉浦宽记;小柳雅史;益居健介 - 富士胶片株式会社
- 2014-07-17 - 2017-06-27 - H01L51/30
- 本发明涉及一种有机膜晶体管、有机半导体膜及有机半导体材料以及它们的应用。本发明的在半导体活性层中含有通式(1‑1)或(1‑2)、或者通式(101‑1)或(101‑2)所表示的由n个重复单元构成的化合物的有机膜晶体管是使用载子迁移率高且具有在有机溶剂中较高的溶解性的化合物的有机膜晶体管,其中,cy表示苯环、萘环或蒽环;R11~R14、R15~R18分别独立地表示氢原子或取代基;Ar1~Ar4分别独立地表示杂亚芳基或亚芳基;V1、V2表示2价连接基团;m表示0~6的整数,当m为2以上时,2个以上V1可相同也可不同;n表示2以上;p表示0~6的整数,当p为2以上时,2个以上V2可相同也可不同。
- 有机半导体材料-201280018838.2
- 半那纯一;小堀武夫;臼井孝之;高屋敷由纪子;饭野裕明;大野玲 - 国立大学法人东京工业大学;DIC油墨株式会社
- 2012-03-09 - 2017-03-01 - H01L51/30
- 本发明的目的在于,提供一种不仅显示出液晶性而且还显示出高电子迁移率的有机半导体材料。本发明的有机半导体材料至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A、以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B,且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C,其特征在于,该有机半导体材料显示N相、SmA相和SmC相以外的液晶相。
- 一种有机场效应晶体管及其在紫外光传感中的应用-201410582642.7
- 孟青;赵广耀;刘洁;邹业;胡文平 - 中国科学院化学研究所
- 2014-10-27 - 2017-02-15 - H01L51/30
- 本发明提供一种以式I所示的化合物为有机半导体层的有机场效应晶体管及其制备方法与应用。式I中,R1和R2相同或不同,均选自氢、取代或未取代的C1‑C50的烷基、取代或未取代的C6‑C50的芳基中的至少一种;X为C=C或C≡C。本发明的有机场效应晶体管表现出了非常好的器件稳定性,且对于不同波长入射光的传感响应差异显著,对于光强仅为37μW cm‑2的波长为365‑420nm的UVA波段紫外光能够表现出非常灵敏的传感响应,光响应度(R)超过6000A/W,感光灵敏度(P)最高可以达到6.75×105,因而所述有机场效应晶体管可用于制备紫外光传感器,制得的紫外光传感器对UVA波段紫外光表现出的感光灵敏度基本不随光强度变化而变化,在反向检测入射光分布区间方面具有极大优势。
- 一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法-201410047253.4
- 蔡一茂;刘业帆;方亦陈;王宗巍;李强;余牧溪;潘越;黄如 - 北京大学
- 2014-02-11 - 2017-01-04 - H01L51/30
- 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层,中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括:采用PVD方法在衬底上生长底电极材料,并采用标准光刻技术使底电极图形化;采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料;通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔;采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料,通过光刻、剥离定义顶层电极,并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下,通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
- 一种改性的聚噻吩类有机磁阻薄膜材料及其制备方法、应用-201610164579.4
- 谷航;赵亮 - 新疆金风科技股份有限公司
- 2016-03-22 - 2016-07-20 - H01L51/30
- 本发明提供了一种有机磁阻薄膜材料,由聚噻吩类化合物和稠环芳烃类衍生物复合后得到。本发明利用稠环芳烃类的有机小分子化合物与聚噻吩类有机高分子聚合物混合,实现对聚噻吩类有机高分子掺杂改性。掺杂物能带的最高被占据轨道能级高于被掺杂物的最高被占据轨道,因此空穴类载流子在被掺杂物的传输过程中会被掺杂物阻挡,从而形成“载流子陷阱”,而“载流子陷阱”的引入能够产生更灵敏的磁阻效应;同时稠环芳烃类掺杂物比聚噻吩类被掺杂物具有更高的载流子迁移率,因此掺杂物的引入还增强了被掺杂物的导电性。
- 一种单栅柔性有机存储器件及其制备方法-201510393421.X
- 马力超;唐莹;彭应全;韦一 - 中国计量学院
- 2015-07-01 - 2016-06-22 - H01L51/30
- 本发明涉及一种单栅柔性有机存储器件及其制备方法,主要由衬底、栅电极、介质层、有机半导体层、源电极和漏电极构成。本发明以柔性材料聚酰亚胺作为柔性衬底,制备的存储器件具有良好的柔性和机械强度。有机驻极体材料作为介质层,利用有机驻极体在外加电场下可以俘获和释放电荷的性质,调控阈值电压实现存储器件的功能,提高了存储器件的存储时间和使用寿命,同时本发明采用旋涂、磁控溅射和真空热蒸发的方法制备,工艺简单,可大面积制备,可有效降低生产成本。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择