[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个晶体管，形成在所述衬底的晶体管区域上；

多个二极管，形成在所述衬底的二极管区域上，所述晶体管和所述二极管布置在第一方向上；

第一配线，形成在所述衬底之上，并且在所述晶体管与所述二极管之间延伸；

多个第一分支配线，在所述第一方向上从所述第一配线延伸以形成所述晶体管的漏极电极；

多个第二分支配线，在所述第一方向上从所述第一配线延伸以形成所述二极管的阳极电极；以及

绝缘分隔层，形成在所述第一配线之下的所述衬底中并且将所述晶体管区域和所述二极管区域分隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述晶体管的漏极电极和源极电极在沿着所述第一配线的方向上交替地设置，

其中所述第一分支配线彼此间隔开地设置，

其中所述二极管的阳极电极和阴极电极在沿着所述第一配线的方向上交替地设置，并且

其中所述第二分支配线彼此间隔开地设置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

第二配线，在跨所述晶体管与所述第一配线相对之侧，在沿着所述第一配线的所述方向上延伸；

多个第三分支配线，在所述第一方向上从所述第二配线延伸以形成所述晶体管的源极电极，所述第三分支配线设置为与所述第一分支配线相对；

第三配线，在跨所述二极管与所述第一配线相对之侧，在沿着所述第一配线的所述方向上延伸；以及

多个第四分支配线，在所述第一方向上从所述第三配线延伸以形成所述二极管的阴极电极，所述第四分支配线设置为与所述第二分支配线相对。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一分支配线耦合至所述晶体管的所述漏极电极，

其中所述第三分支配线耦合至所述晶体管的所述源极电极，

其中所述第二分支配线耦合至所述二极管的所述阳极电极，并且

其中所述第四分支配线耦合至所述二极管的所述阴极电极。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，在所述第一方向上，所述第二配线、所述晶体管、所述第一配线、所述二极管、所述第三配线、所述二极管、所述第一配线和所述晶体管按照该顺序重复地设置，并且

其中所述第四分支配线从所述第三配线的两侧延伸。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述衬底为矩形，

其中所述衬底的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧在所述第一方向上延伸，并且

所述半导体器件进一步包括：

第一引线端子，与所述第一侧相对；

第二引线端子，与所述第二侧相对；

第一耦合构件，将所述第一配线耦合至所述第一引线端子；以及

第二耦合构件，将所述第三配线耦合至所述第二引线端子。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

栅极配线，沿着所述衬底的所述第二侧延伸，并且耦合至所述晶体管的栅极电极；

第三引线端子，与所述衬底的所述第二侧相对；以及

第三耦合构件，将所述栅极配线耦合至所述第三引线端子。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述衬底包括：

半导体衬底，掺杂有杂质，并且具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

化合物半导体层，形成在所述半导体衬底的所述第一表面之上；以及

掩埋接触，掩埋在所述化合物半导体层中，所述掩埋接触具有耦合至所述半导体衬底的下部、以及耦合至所述第二配线的上表面，并且

其中所述半导体器件进一步包括：

衬底安装部，支撑所述第二表面，所述衬底安装部具有与所述半导体衬底的所述第二表面接触的至少一个导电表面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一配线在第二方向上在所述晶体管和所述二极管之间延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。