[发明专利]基板处理系统以及基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理系统以及方法，其中基板处理方法包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在腔室内部中在基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于基板的掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在基板的元件。调节相对于基板的掩膜部件的配置高度，进而能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

技术领域

本发明涉及基板处理系统以及方法，更详细地说涉及调节基板掩膜部件的配置高度可形成各种结构的封装层(encapsulation layer)的基板处理系统以及基板处理方法。

背景技术

显示器制造工艺或者半导体制造工艺中的封装(encapsulation)工艺是指形成封装层的工艺，进而在大气中的氧气与水分中保护元件(element) 的有机层与电极，以及在从外部施加的机械性、物理性冲击中保护元件。

尤其是，有机发光二极管(OLED)元件使用的有机材料在暴露在空气中的氧气以及水分的情况下，显著缩短使用寿命，因此必须要求封装层能够防止有机材料与外部接触。

一般地说，封装层可通过如下的方式形成：在封装基板与TFT基板之间填充有机物的填充封装方式；利用由激光熔融玻璃原料(frit)进行粘结的玻璃料封装方法、通过多层的有机-无机复合膜从外部保护元件的薄膜 (film)封装方法等。

其中，薄膜封装方法的封装层是交替层叠相互不同的两种以上的膜 (例如，有机膜以及无机膜)来形成的封装层。

作为现有的封装层的制造方法中的一种，其提出了如下的封装层形成方法：在第一腔室的内部中在形成有元件的基板上面配置第一掩膜，并通过利用第一掩膜的沉积工艺形成第一封装层以覆盖元件，之后在第二腔室的内部中在基板上面配置与第一掩膜不同(例如，尺寸不同或者具有开口部)的第二掩膜，并通过利用第二掩膜的沉积工艺形成第二封装层以覆盖第一封装层，之后再重新在第三腔室的内部中在基板上面配置与第二掩膜不同的第三掩膜，并且通过利用第三掩膜的沉积工艺形成第三封装层以覆盖第二封装层，进而形成封装层。

但是，在现有的技术中，为了形成由第一封装层至第三封装层构成的封装层，需考虑相互不同的尺寸以及层的属性而分别制作相互不同种类的第一掩膜至第三掩膜，因此在制作以及维护掩膜需要很多的费用与时间，因此并不是经济实惠的方法。

再则，在现有技术中为了将第一掩膜至第三掩膜配置在相互不同的腔室内部，也要根据掩膜的种类以及样本分别分开制作用于在腔室内部配置掩膜的装置(例如，掩膜支撑装置或者对齐装置)，据此存在制作工艺复杂、生产性方面效率低、提高制作成本的问题。

另外，现有技术存在如下的问题：在固定掩膜的状态下进行沉积，据此为了改变封装层结构(例如，沉积面积)，不得不按封装层的结构分别制作不同尺寸以及考虑层属性的相互不同的掩膜，因此增加掩膜部件的制作成本，并且封装层的制作结构以及制作工艺复杂。

据此，在最近正在进行各种研究，进而能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，并提高工艺效率，但是该研究还有不足之处，因此有必要对此的进行开发。

发明内容

(要解决的问题)

本发明的目的在于，提供能够将制作结构以及制作工艺简单化并且能够提高工艺效率的基板处理系统以及方法。

尤其是，本发明的目的在于，调节基板掩膜部件(mask member)的配置高度，进而能够形成各种结构的封装层(encapsulation layer)。

另外，本发明的目的在于，能够只利用一个种类的掩膜部件形成各种结构的封装层。

另外，本发明的目的在于，将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，并且能够提高产量。

另外，本发明的目的在于，防止氧气以及水分等的渗透并且能够提高稳定性。