[发明专利]平板探测器及其残影数据表的生成方法、残影补偿校正方法有效
申请号: | 201711386079.6 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108172659B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄细平;王锋;张楠;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18;G06T5/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 残影 平板探测器 补偿校正 暗场图像 亮场 矩阵 图像残影 图像 像素 半导体探测器 非晶硅探测器 图像评估 探测器 非晶 减去 可用 存储 采集 | ||
1.一种残影数据表的生成方法,其特征在于,生成残影数据表的步骤至少包括:
在无X射线曝光的情况下采集n张暗场图像,其中,n为不小于4的正整数;
将所述暗场图像进行相加并求均值后得到暗场校正模板,用于校正图像的本底暗电流噪声;
在设定剂量下对平板探测器进行曝光,并采集当前信号,其中,所述设定剂量满足条件:使平板探测器的读出电路和光电二极管均达到饱和状态;
选取多个时间点t1,t2,…tn,在各时间点分别进行暗场图像采集,其中,暗场图像对应表示为:Dt1,Dt2,…Dtn;
计算残影值,满足条件:lagtn=Dtn-offset,其中,lagtn为tn时间对应的残影值,offset为暗场校正模板;
将(lagt1,lagt2,…lagtn)与(t1,t2,…tn)进行拟合得到拟合函数f(t);
根据拟合函数f(t)按照设定时间间隔Δt进行插值,以生成残影数据表。
2.根据权利要求1所述的残影数据表的生成方法,其特征在于,所述拟合函数f(t)的横坐标为时间,所述拟合函数f(t)的纵坐标为暗场图像残影值。
3.一种采用如权利要求1所述的方法生成残影数据表对平板探测器图像残影的补偿校正方法,其特征在于,所述残影补偿校正方法至少包括以下步骤:
生成残影数据表,并存储于平板探测器或探测器软件中;
获取当前亮场图像和暗场图像;
将暗场图像中每个像素的残影信号与残影数据表相对应,找出每个像素的残影信号在残影数据表中对应的残影值和所述残影值对应的时刻;
以所述残影值对应的时刻加上当前亮场图像与暗场图像采集的时间间隔为新的时刻,在残影数据表中找出所述新的时刻对应的残影值,生成当前图像评估的残影模板矩阵;
用当前亮场图像减去残影模板矩阵进行残影补偿校正。
4.根据权利要求3所述的平板探测器图像残影的补偿校正方法,其特征在于,获取当前亮场图像和暗场图像的步骤至少包括:
平板探测器曝光;
采集亮场图像;
采集暗场图像;
所述亮场图像含有当前曝光信号和之前曝光残留的信号,所述暗场图像包括当前曝光与之前曝光残留的信息。
5.根据权利要求4所述的平板探测器图像残影的补偿校正方法,其特征在于,所述亮场图像在所述暗场图像之前采集,则查询暗场图像中每个像素的残影信号与残影数据表相对应的位置时,查表方式为从残影数据表后端向前端查找。
6.根据权利要求3所述的平板探测器图像残影的补偿校正方法,其特征在于,获取当前亮场图像和暗场图像的步骤至少包括:
采集暗场图像,其中,所述暗场图像包含之前曝光残留的信号,采集暗场图像的时间为当前曝光与紧邻的上一次曝光之间的任意时刻;
平板探测器曝光;
采集亮场图像,其中,所述亮场图像包含当前曝光信号和之前曝光残留的信号。
7.根据权利要求6所述的平板探测器图像残影的补偿校正方法,其特征在于,所述亮场图像在所述暗场图像之后采集,则查询暗场图像中每个像素的残影信号与残影数据表相对应的位置时,查表方式为从残影数据表前端向后端查找。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海奕瑞光电子科技股份有限公司,未经上海奕瑞光电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711386079.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种N型异质结双面太阳能电池的制备方法
- 下一篇:CZTS太阳能电池制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的