[发明专利]防尘薄膜组件的制造方法有效
| 申请号： | 201780053409.1 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109643059B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 奥秀彦;秀一郎 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;C30B25/02;C30B29/36;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防尘 薄膜 组件 制造 方法 | ||
【说明书】：
本发明提供一种防尘薄膜组件的制造方法，能够实现制造工序的简化。防尘薄膜组件的制造方法具备以下工序：在Si基板(21)的下表面(21a)形成SiC膜(11)；在所述SiC膜的下表面(11a)粘接含有贯通孔的支承件(12)；以及在粘接所述支承件的工序之后，除去所述Si基板。
技术领域
本发明涉及防尘薄膜组件的制造方法，更具体而言涉及具备有SiC(碳化硅)膜的防尘薄膜组件的制造方法。
背景技术
半导体元件的制造技术之一具有光刻技术。在光刻技术中，随着半导体元件的微型化，曝光装置的光源的短波长化正在不断发展。当前，作为在最先进的半导体元件制造工厂中使用的曝光装置的光源，KrF(氟化氪)准分子激光(波长248nm)或ArF(氟化氩)准分子激光(波长193nm)等成为主流。另外，作为下一代光源，EUV(Extreme Ultraviolet：极远紫外)光(波长13.5nm)的光源的开发正在不断发展。
在光刻技术中，为了防止异物附着于掩膜，从而在光掩膜上粘贴防尘薄膜组件。防尘薄膜组件中作为使来自曝光装置的光源的光透过的部分的防尘薄膜也与曝光装置的光源的发展而一起发展。在将ArF准分子激光等用作曝光装置的光源时(在ArF时代的光源中)，使用了有机系材料来作为防尘薄膜。作为EUV光用防尘薄膜，对使用相对于EUV光而具有较高的透过率及耐性的无机材料进行研究。作为这样的无机材料，可举出例如Si(硅)、SiN(氮化硅)、SiC或C(石墨、石墨烯、类金刚石碳或非结晶碳等)等。
无机材料之中尤其SiC具有较高的光透过率及耐性，因此适合作为EUV光用防尘薄膜。另一方面，虽然SiC是机械强度较高的材料，但是在将SiC薄膜用作防尘薄膜的情况下，需要将SiC薄膜的一部分由Si基板等构成的支承件来支承。将SiC薄膜的一部分由Si基板支承的防尘薄膜组件通常在Si基板上形成了SiC薄膜之后，通过对Si基板的一部分进行蚀刻而制作出。
具备有SiC薄膜的防尘薄膜组件的制造方法例如在下述专利文献1和2等中公开。在下述专利文献1中，公开了如下技术：在作为支承材料的Si基板上形成了多结晶SiC膜之后，通过对Si基板的一部分进行湿蚀刻，从而使Si基板成为网格状。
在下述专利文献2中，公开了由Si结晶构成的防尘薄膜与由Si基板构成的第二防尘薄膜组件框的复合部件的制造方法。在该制造方法中，在Si基板上形成SiC结晶膜，从Si基板的Si结晶膜非形成面侧对Si基板的中央部进行蚀刻，从而除去该中央部的Si基板。另外，在下述专利文献2中，公开了作为防尘薄膜也可以使用SiC的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/188710号小册子
专利文献2：国际公开第2015/166927号小册子
发明内容
发明要解决的技术问题
如上所述，以往，具备有SiC薄膜的防尘薄膜组件通过在Si基板上形成了SiC薄膜之后对Si基板的一部分进行蚀刻而制成。因此，制造工序复杂。另外，因制造工序的复杂度而导致制造成本的增高。
即，在对Si基板的一部分进行蚀刻时，需要以下工序：在Si基板上形成光致抗蚀剂的工序、通过对光致抗蚀剂进行曝光而进行图案化的工序、将光致抗蚀剂作为掩膜而对Si基板的一部分进行蚀刻的工序以及在蚀刻后除去光致抗蚀剂的工序。另外，在提高Si的蚀刻选择性的情况下，需要以下工序：在Si基板上形成硬掩膜(SiC、SiN等)的工序、在硬掩膜上形成光致抗蚀剂的工序、通过对光致抗蚀剂进行曝光而进行图案化的工序、将光致抗蚀剂作为掩膜而对硬掩膜进行蚀刻的工序、将硬掩膜作为掩膜而对Si基板的一部分进行蚀刻的工序以及在蚀刻后除去光致抗蚀剂及硬掩膜的工序。此外，需要准备用于对光致抗蚀剂进行曝光的掩膜。
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- 2016-04-11 - 2021-05-28 - G03F1/62
- 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
- 光刻系统和方法-201980063196.X
- A·尼基帕罗夫;马库斯·艾德里纳斯·范德柯克霍夫;E·W·F·卡西米里;S·萨尔瓦多 - ASML荷兰有限公司
- 2019-08-19 - 2021-05-07 - G03F1/62
- 一种用于将粒子固定到表膜隔膜以供后续用于光刻设备中的系统，该系统包括配置成将粒子固定到表膜隔膜的粒子固定装置。粒子固定装置配置成引导电子束或辐射束，使得电子束或辐射束在入射于粒子上之前通过表膜隔膜。
- 防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法-201680003768.1
- 大久保敦;美谷岛恒明;小野阳介;高村一夫;藤井泰久;松本信子 - 三井化学株式会社
- 2016-01-22 - 2021-03-12 - G03F1/62
- 防护膜组件存在如下的问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。对此，本发明提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后至少去除基板的一部分。此外，在去除基板的一部分之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。
- 表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法-201480056882.1
- 浅田晋;玉屋英明;矢野浩平;山下泰辉 - 旭化成株式会社
- 2014-10-10 - 2021-03-02 - G03F1/62
- 本发明涉及表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面(2e)的表膜用膜(3)；和附着于表膜框的另一个端面(2f)的非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)，前述非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)中的重均分子量800以下的化合物的含量为18重量％以下。根据本发明，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
