[发明专利]光致抗蚀剂去除用剥离液组合物

说明书

本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，更详细而言，涉及不包含对人体有害的毒性物质、被剥离的抗蚀剂的溶解力优异而能够使过滤器堵塞等工序上的问题最小化且使金属配线的腐蚀最小化的光致抗蚀剂去除用剥离液组合物。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物，更详细而言，涉及不包含对人体有害的毒性物质、被剥离的抗蚀剂的溶解力优异而能够使过滤器堵塞等工序上的问题最小化、且使金属配线的腐蚀最小化的光致抗蚀剂去除用剥离液组合物。

背景技术

光刻工序是将设计在掩模(mask)的图案转印至形成有要加工的薄膜的基板上的一系列照片工序。

更具体而言，在基板上形成薄膜，在上述薄膜上均匀地涂布作为感光性物质的光致抗蚀剂，在涂布有上述光致抗蚀剂的基板上配置掩模进行曝光(exposure)，然后将上述光致抗蚀剂显影(develop)而形成光致抗蚀剂图案。将上述薄膜也称为下部膜，例如可以为铝、铝合金、铜、铜合金、钼和钼合金等的导电性金属膜、氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜等。

可以利用掩模将上述光致抗蚀剂图案通过湿式或干式进行蚀刻，将微细电路图案转印而进行蚀刻。这样的图案化工序后会经由将残留在薄膜上的光致抗蚀剂去除的工序，为此使用光致抗蚀剂去除用剥离液(stripper)组合物。

其中，形成显示器和半导体用电极电路的工序中利用的光致抗蚀剂去除用剥离液应当能够在低温下短时间内剥离光致抗蚀剂，洗涤(rinse)后基板上不应当留有光致抗蚀剂残留物，同时应当具备能够对有机绝缘膜和金属配线没有损伤地进行剥离的能力。

韩国公开专利第10-2011-0124955号、韩国公开专利第10-2014-0028962号和韩国公开专利第10-2015-0102354号等中，作为光致抗蚀剂去除用剥离液，使用胺化合物、亚烷基二醇烷基醚化合物、非质子极性溶剂和防腐蚀剂之类的有机化合物，其中，一直使用剥离性和防腐蚀性优异的N-甲基甲酰胺(N-methylforamide；NMF)、N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone；NMP)等非质子性溶剂作为主溶剂。这样的溶剂类虽然存在具有优异的剥离力的优点，但其是显示生殖毒性的物质，存在对环境和人体有害的缺点，因此其使用逐渐受到制约。因此实际情况是，要求开发即使不使用NMF和NMP也具有优异的剥离力的剥离液组合物，但实际上至今仍未开发出显示充分的剥离力和洗涤力的剥离液组合物。

而且，包含上述NMF和NMP的剥离液组合物存在如下问题：随着时间的经过，胺化合物的分解被促进，从而剥离力和洗涤力等经时下降。随着剥离液组合物的使用次数，残留光致抗蚀剂的一部分在剥离液组合物中溶解时，这样的问题可能进一步加重。

由于这样的问题，研究了代替上述NMF而包含N,N'-二甲基甲酰胺(DMF)等其他极性非质子溶剂的剥离液组合物，但已知上述DMF也显示生物体毒性，因此会产生使用制约的必要性。

因此实际情况是，至今没有真正地开发出在不包含显示生物体毒性的溶剂的同时经时维持优异的剥离力和洗涤力的剥离液组合物。

考虑这样的实际情况，以往为了经时维持优异的剥离力和洗涤力，使用了在剥离液组合物中包含过量的胺化合物的方法，但该情况下，工序的经济性和效率可能大大降低，且可能发生因过量的胺化合物导致的环境或工序上的问题。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第10-2011-0124955号

韩国公开专利第10-2014-0028962号

韩国公开专利第10-2015-0102354号

发明内容