[发明专利]有机发光二极管面板和包括其的显示装置有效
| 申请号： | 201810724274.3 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216421B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郑七熙;李相润;陈勇完;朴敬培;李光熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10K59/90 | 分类号： | H10K59/90 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 面板 包括 显示装置 | ||
1.一种嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，包括：
基板；
有机发光二极管堆叠，其设置在所述基板上并且发射可见光；以及
近红外光电传感器堆叠，其设置在所述基板与所述有机发光二极管堆叠之间并且包括近红外检测器和发射近红外光的近红外发射器。
2.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中所述有机发光二极管堆叠的像素包括所述近红外发射器中的至少一个和所述近红外检测器中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中所述近红外发射器和所述近红外检测器两者被包括在所述有机发光二极管堆叠的子像素下方。
4.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，所述近红外发射器和所述近红外检测器设置在所述有机发光二极管堆叠的子像素之间的非发光部下方。
5.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中所述有机发光二极管堆叠在所述近红外光电传感器堆叠的相反方向上发射光。
6.根据权利要求5所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中
所述有机发光二极管堆叠的有机发光二极管发射器包括：
有机发光二极管，其包括有机发射层以及形成在所述有机发射层下方和上方的电极，以及
形成在所述有机发射层上方的所述电极是透明电极。
7.根据权利要求6所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，
其中所述近红外发射器和所述近红外检测器两者被包括在所述有机发光二极管堆叠的子像素下方，以及
形成在所述有机发射层下方的所述电极是透明电极。
8.根据权利要求6所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，
其中所述近红外发射器和所述近红外检测器设置在所述有机发光二极管堆叠的子像素之间的非发光部下方，以及
形成在所述有机发射层下方的所述电极是反射电极。
9.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，所述有机发光二极管面板还包括驱动器，所述驱动器设置在所述基板与所述近红外光电传感器堆叠之间，并且输入和输出所述近红外光电传感器堆叠和所述有机发光二极管堆叠的电信号。
10.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中输入和输出来自所述近红外光电传感器堆叠的电信号的驱动器以及输入和输出来自所述有机发光二极管堆叠的电信号的驱动器设置在相同的平面上。
11.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中所述近红外发射器是发射约800nm到约1500nm的波长区域的近红外光的近红外有机光电二极管。
12.根据权利要求11所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中
所述近红外有机光电二极管包括：
发射所述近红外光的有机发射层以及分别形成在所述有机发射层下方和上方的下电极和上电极，以及
所述上电极是透明电极，所述下电极是反射电极。
13.根据权利要求1所述的嵌入有近红外光电传感器的有机发光二极管面板，其中所述近红外检测器是吸收约800nm到约1500nm的波长区域的近红外光的近红外有机光电二极管。
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