[发明专利]一种三相驱动结构CCD的水平区结构及其驱动电路在审
| 申请号： | 201811632039.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109728020A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王廷栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H04N5/357;H04N5/372 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水平区 三相电极 三相驱动 栅介质层 第二相 复位栅 浮置扩散区 驱动电路 第三相 外延层 图像传感器器件 外延层表面 常规噪声 器件结构 驱动方式 输出信号 耦合噪声 低噪声 上升沿 势垒区 应用 | ||
1.一种三相驱动结构CCD的水平区结构，包括外延层(5)、水平区三相电极(1)、栅介质层(3)、浮置扩散区(4)及复位栅(2)，所述水平区三相电极(1)包括第一相栅(H1)、第二相栅(H2)和第三相栅(H3)，其特征在于，栅介质层(3)设置在外延层(5)表面，水平区三相电极(1)及复位栅(2)均设置在栅介质层(3)表面，在复位栅(2)与水平区三相电极(1)之间的位置，设置有浮置扩散区(4)，其特征在于，每个第一相栅(H1)、第二相栅(H2)和第三相栅(H3)下方的外延层(5)中，设置有势垒区(10)。
2.根据权利要求1所述的一种三相驱动结构CCD的水平区结构，其特征在于，所述势垒区(10)通过注入离子形成局部势垒，且当势垒区(10)形成后，当在栅上加偏置电压时，栅下的信号电子将由低电势区域向高电势区域移动，阻止信号电子反方向移动。
3.一种三相驱动结构CCD的水平区结构的电路驱动，其特征在于，包括当第一相栅(H1)由高电平转换成低电平时，同时第二相栅(H2)由低电平转换成高电平，而此时依然保持第三相栅(H3)为低电平；由于第一相栅(H1)下面栅下结构的存在，电荷包不会研制反向移动，电荷包会顺畅地转移到第二相栅(H2)栅下；第二相栅(H2)由高电平转换成低电平时，同时第三相栅(H3)由低电平转换成高电平，而此时依然保持第一相栅(H1)为低电平；由于第二相栅(H2)面栅下结构的存在，电荷包会顺畅地转移到第三相栅(H3)下。
4.根据权利要求1所述的一种三相驱动结构CCD的水平区结构的电路驱动，其特征在于，复位栅(2)时序的高电平时间比地水平区第二相(H2)高电平时间长，以确保在复位参考电平时间内无水平区时钟上升沿；同时确保在水平区第三相(H3)由高电平到低电平后，在信号电平时间内无水平时钟上升沿。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
