[发明专利]一种逆导型IGBT器件及智能功率模块

权利要求书

1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，所述逆导型IGBT器件集成有IGBT器件和快速恢复二极管，其中，所述快速恢复二极管的第一掺杂类型电极区和/或第二掺杂类型电极区采用热电材料形成；

所述逆导型IGBT器件包括：半导体衬底、设置在所述半导体衬底的一表面上的集电极、设置在所述半导体衬底的相对另一表面上的发射极和绝缘层、以及设置在所述绝缘层上的栅电极；

所述半导体衬底包括：第一掺杂类型发射区、第二掺杂类型基区、第一掺杂类型漂移区、第一掺杂类型缓冲区、第一掺杂类型短路区、第二掺杂类型集电区，其中，所述发射极与所述第一掺杂类型发射区和第二掺杂类型基区连接，所述第一掺杂类型漂移区位于所述第二掺杂类型基区远离所述发射极的一侧，所述第一掺杂类型缓冲区位于所述第一掺杂类型漂移区远离所述第二掺杂类型基区的一侧，所述第二掺杂类型集电区和所述第一掺杂类型短路区位于所述第一掺杂类型缓冲区与所述集电极之间，且所述第二掺杂类型集电区和所述第一掺杂类型短路区与所述第一掺杂类型缓冲区连接；

其中，所述第二掺杂类型基区的部分构成所述快速恢复二极管的所述第二掺杂类型电极区，所述第一掺杂类型短路区和部分所述第一掺杂类型缓冲区构成所述快速恢复二极管的所述第一掺杂类型电极区；

其中，所述热电材料包括PbTe、ZnSb或两者的化合物或者固溶体。

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，部分所述第一掺杂类型缓冲区和所述第一掺杂类型短路区采用第一掺杂类型热电材料形成；

所述第二掺杂类型基区包括与所述第一掺杂类型短路区对应设置的第一区域和与所述第二掺杂类型集电区对应设置的第二区域，其中，所述第一区域采用第二掺杂类型热电材料形成。

3.根据权利要求2所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述第一区域通过挖槽，并填充第二掺杂类型热电材料而形成。

4.根据权利要求3所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述第一区域的深度大于所述第二区域的深度。

5.根据权利要求4所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述第一区域的深度与所述第二区域的深度的差值为1-2μm。

6.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括权利要求1至5任一项所述的逆导型IGBT器件。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆导型IGBT器件的所述集电极和所述发射极通过敷铜和引脚引出。

8.根据权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述敷铜的厚度大于或者等于所述逆导型IGBT器件的厚度；所述敷铜的面积大于或者等于所述逆导型IGBT器件面积的1.2倍；所述引脚的宽度大于或者等于所述敷铜的最大边长的20％。