[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201920360611.5 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN209627331U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 山田孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘慧群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 输出端子 放大信号 输出导线 接地部 放大器 输入信号放大 半导体装置 接地端子 电连接 基板 高次谐波分量 第二区域 第一区域 高次谐波 接地导线 接地电位 频率特性 终止电路 输出 衰减 俯视 | ||
一种半导体装置,具备:基板,具有被供给接地电位的接地部;半导体芯片,安装在基板上,具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子;第一放大器,形成在半导体芯片的第一区域,将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号;第二放大器,形成在半导体芯片的第二区域,将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号;第一高次谐波终止电路,具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性,并具有将第一终止端子和接地部电连接的第一导线;以及接地导线,在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间,将接地端子和接地部电连接。
技术领域
本实用新型涉及半导体装置。
背景技术
在便携式电话等移动体通信机中,使用用于放大向基站发送的无线频率(RF:Radio Frequency)信号的功率的功率放大模块。在功率放大模块中,为了使从放大器输出的放大信号包含的高次谐波分量(具有基频的整数倍的频率的信号)衰减,使用高次谐波终止电路。例如,在专利文献1公开了设置有使放大信号的二倍波的高次谐波分量与接地短路的高次谐波终止电路的高频用发送模块。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-171137号公报
近年来,在功率放大模块中,为了减小芯片面积,有时将对相互不同的频带的信号进行放大的多个放大路径配置在同一芯片。在这样的同一芯片上,从设置在一个放大路径的高次谐波终止电路漏出的高次谐波,例如,二倍波的分量容易转移到另一个放大路径。此时,例如,如果流过一个放大路径的信号的二倍波的频带与流过另一个放大路径的信号的基波的频带接近,则流入到另一个放大路径的二倍波干扰流过该另一个放大路径的信号,有可能使功率放大的特性劣化,或者使接收灵敏度劣化。
实用新型内容
实用新型要解决的课题
本实用新型是鉴于这样的情形而完成的,其目的在于,提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。
用于解决课题的技术方案
为了达到这样的目的,本实用新型的一个方面涉及的半导体装置具备:基板,具有被供给接地电位的接地部;半导体芯片,安装在基板上,具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子;第一放大器,形成在半导体芯片的第一区域,将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号;第二放大器,形成在半导体芯片的第二区域,将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号;第一高次谐波终止电路,具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性,并具有将半导体芯片的第一终止端子和基板的接地部电连接的第一导线;以及接地导线,在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间,将半导体芯片的接地端子和基板的接地部电连接。
本实用新型的一个方面涉及的半导体装置具备:半导体芯片,具有第一输出端子、第二输出端子、以及被供给接地电位的接地部;第一放大器,形成在半导体芯片的第一区域,将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子输出第一放大信号;第二放大器,形成在半导体芯片的第二区域,将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子输出第二放大信号;第一高次谐波终止电路,具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性,并具有将半导体芯片的第一输出端子和接地部电连接的第一布线;以及导电部,在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一布线与第二输出端子之间,被供给接地电位。
实用新型效果
根据本实用新型,能够提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。
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