[发明专利]电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体

权利要求书

1.一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，

所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有大于等于16nm且小于100nm的厚度，

所述电波吸收体用阻抗匹配膜满足下述(i)或(ii)的条件：

(i)所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有8cm²/(V·s)～17cm²/(V·s)的霍尔迁移率，并且具有3.5×10^-3Ω·cm～4.4×10^-3Ω·cm的电阻率；

(ii)所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有5cm²/(V·s)以上的霍尔迁移率，并且具有0.7×10^-3Ω·cm～2.0×10^-3Ω·cm的电阻率。

2.如权利要求1所述的阻抗匹配膜，其中，

所述阻抗匹配膜具有200Ω/□～800Ω/□的薄层电阻。

3.如权利要求1或2所述的阻抗匹配膜，其中，

所述氧化锡的含量为20质量％以上。

4.如权利要求3所述的阻抗匹配膜，其中，

所述氧化锡的含量大于40质量％。

5.如权利要求1或2所述的阻抗匹配膜，其中，

所述阻抗匹配膜还包含至少具有与铟原子、锡原子和氧原子不同的原子的添加物。

6.一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：

基材、和

权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜。

7.一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：

权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜、

反射电波的导电体、和

在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述导电体之间的电介质层。

8.如权利要求7所述的电波吸收体，其中，

所述导电体包含氧化铟锡。

9.如权利要求7所述的电波吸收体，其中，

所述导电体包含选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金和铁合金构成的组中的至少一种。

10.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，

所述电介质层具有2.0～20.0的相对介电常数。

11.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，

所述电介质层包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种高分子。

12.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，

所述电波吸收体还具有粘合层，并且

所述导电体配置在所述电介质层与所述粘合层之间。

13.一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：

权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜、和

配置成在所述阻抗匹配膜的厚度方向上与所述阻抗匹配膜接触的电介质层。