[发明专利]电压调节系统及其方法

权利要求书

1.一种电压调节系统，包含：

一电压调节器，设置以接收一第一参考电压并输出一调节电压；

一偏压电压产生器，包含：

一以二极管形式连接的晶体管，设置以接收一偏压电流并输出一参考栅极电压；及

多个开关负载电路，所述多个开关负载电路中的每一者包含：

一共漏极晶体管，设置以自该调节电压接收供电，该共漏极晶体管经由通过一逻辑信号控制的一开关自该参考栅极电压接收控制，并输出一供应电压至一负载且分流至一去耦合电容器，其中，该共漏极晶体管的尺寸是根据一比值将该以二极管形式连接的晶体管的尺寸做缩放而得，该比值是指该负载的一电流与该偏压电流之间的比值。

2.如权利要求1所述的电压调节系统，其中，该电压调节器包含一功率晶体管及一运算放大器，该运算放大器设置以形成具有负反馈的一控制回路，以使该调节电压近似等于该第一参考电压。

3.如权利要求1所述的电压调节系统，其中，该偏压电压产生器还包含与该以二极管形式连接的晶体管串联连接的一电阻器以建立一偏压电压，该偏压电压等于该以二极管形式连接的晶体管的一阈值电压加上该以二极管形式连接的晶体管的一过驱动电压加上一偏置电流与该电阻器的电阻值的乘积。

4.如权利要求3所述的电压调节系统，其中，该偏压电压产生器还包含一低通滤波器，该低通滤波器设置以将该偏压电压滤波为该参考栅极电压，该共漏极晶体管的长度等于该以二极管形式连接的晶体管的长度，该共漏极晶体管的宽度等于该以二极管形式连接的晶体管的宽度乘以该负载的该电流与该偏压电流之间的该比值。

5.如权利要求1所述的电压调节系统，其中，该开关负载电路还包含通过一互补逻辑信号控制的一附加开关，该附加开关设置以在该互补逻辑信号生效时将该共漏极晶体管的栅极拉至接地。

6.一种电压调节系统，包含：

一电压调节器，设置以接收一第一参考电压并输出一调节电压；

一偏压电压产生器，设置以接收一偏压电流并输出一参考栅极电压，该偏压电压产生器包含串联连接的一电阻器及一二极管连接NMOS晶体管及一低通滤波器；及

多个开关负载电路，所述多个开关负载电路中的每一者包含：

一负载；

一上电开关，通过一逻辑信号控制；

一去耦合电容器；及

一共漏极NMOS晶体管，其中，该共漏极NMOS晶体管的漏极连接至该调节电压，该共漏极NMOS晶体管的栅极经由该上电开关连接至该参考栅极电压，该共漏极NMOS晶体管的源极连接至该负载及该去耦合电容器，该共漏极NMOS晶体管的长度等于该二极管连接NMOS晶体管的长度，并且，该共漏极NMOS晶体管的宽度等于该二极管连接NMOS晶体管的宽度乘以负载电流与偏压电流之间的一比值。

7.一种电压调节方法，包含：

纳入一电压调节器，以根据一第一参考电压输出一调节电压；

纳入一偏压电压产生器，以根据一偏压电流输出一参考栅极电压，该偏压电压产生器包含串联连接的一电阻器及一二极管连接NMOS晶体管及一低通滤波器；及

纳入多个开关负载电路，所述多个开关负载电路中的每一者包含一负载、通过一逻辑信号控制的一上电开关、一去耦合电容器及一共漏极NMOS晶体管，其中，该共漏极NMOS晶体管的漏极连接至该调节电压，该共漏极NMOS晶体管的栅极通过该上电开关连接至该参考栅极电压，该共漏极NMOS晶体管的源极连接至该负载及该去耦合电容器，该共漏极NMOS晶体管的长度等于该二极管连接NMOS晶体管的长度，并且，该共漏极NMOS晶体管的宽度等于该二极管连接NMOS晶体管的宽度乘以负载电流与偏压电流之间的一比值。

8.如权利要求7所述的电压调节方法，其中，该电压调节器包含一功率晶体管及设置以形成具有负反馈的一控制回路，以使该调节电压近似等于该第一参考电压。