[实用新型]单片集成式VCSEL芯片

权利要求书

1.一种单片集成式VCSEL芯片，其特征在于，包括：

第一VCSEL子芯片，所述第一VCSEL子芯片包括以第一阵列布设的多个第一VCSEL单元；以及

与所述第一VCSEL子芯片单片集成地第二VCSEL子芯片，所述第二VCSEL子芯片包括以第二阵列布设的多个第二VCSEL单元；

其中，所述第一VCSEL子芯片中各所述第一VCSEL单元产生的激光从所述VCSEL芯片的第一侧出射，所述第二VCSEL子芯片中各所述第二VCSEL单元产生的激光从所述VCSE芯片的与所述第一侧相对的第二侧出射；

其中，所述第一VCSEL子芯片与所述第二VCSEL子芯片在结构上共用N-DBR结构。

2.根据权利要求1所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，所述第一VCSEL单元和所述第二VCSEL单元分别包括：衬底、形成于所述衬底的N-DBR层、位于所述N-DBR层上方的有源区、用于限制发光孔径的氧化限制层、位于所述有源区上方的P-DBR层、用于导通所述有源区的正极和负极，其中，各所述第一VCSEL单元和各所述第二VCSEL单元之间设有电隔离区，其中，各所述第一VCSEL单元的N-DBR层和各所述第二VCSEL单元的N-DBR层相互耦接以形成第一所述VCSEL子芯片和所述第二VCSEL子芯片共用的所述N-DBR结构。

3.根据权利要求2所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元与所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元以相互交替的方式形成于所述VCSEL芯片的相对的所述第一侧和第二侧。

4.根据权利要求2所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元与所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元对称地形成于所述VCSEL芯片的相对的所述第一侧和第二侧。

5.根据权利要求2所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元连续地形成于所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元之间，且所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元与所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元形成于所述VCSEL芯片的相对的所述第一侧和第二侧。

6.根据权利要求3或5所述的片集成式VCSEL芯片，其中，在各所述第一VCSEL单元中，所述N-DBR层的反射率高于所述P-DBR层的反射率，以使得所述第一VCSEL单元产生的激光从VCSEL芯片的第一侧出射，在各所述第二VCSEL单元中，所述N-DBR层的反射率低于所述P-DBR的反射率，以使得所述第一VCSEL单元产生的激光从VCSEL芯片的与所述第一侧相对的所述第二侧出射。

7.根据权利要求6所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，在各所述第一VCSEL单元中，所述P-DBR层的层数大于所述N-DBR的层数；在各所述第二VCSEL单元中，所述P-DBR层的层数小于所述N-DBR的层数。

8.根据权利要求7所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，在各所述第一VCSEL单元中，所述P-DBR层的层数范围为15层至45层，所述N-DBR的层数范围为15层至45层；在各所述第二VCSEL单元中，所述P-DBR层的层数范围为15层至45层，所述N-DBR的层数范围为15层至45层。

9.根据权利要求4所述的单片集成式VCSEL芯片，其中，在各所述第一VCSEL单元中，所述N-DBR层的反射率高于所述P-DBR层的反射率，以使得所述第一VCSEL单元产生的激光从VCSEL芯片的第一侧出射，在各所述第二VCSEL单元中，所述N-DBR层的反射率高于所述P-DBR的反射率，以使得所述第一VCSEL单元产生的激光从VCSEL芯片的与所述第一侧相对的所述第二侧出射。