[发明专利]有机电致发光装置和电子设备有效
申请号: | 202110001853.7 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN113078272B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 深川刚史 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H10K50/844 | 分类号: | H10K50/844;H10K71/00;H10K59/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 电子设备 | ||
1.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:
有机电致发光元件;以及
保护层,其保护所述有机电致发光元件,
所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜,
在远离所述有机电致发光元件的方向上,按照所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜的顺序进行配置,
所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料,
所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,
所述第2绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高,
所述第4绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,
所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料彼此相同。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,
所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置,其中,
所述第2绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄,
所述第4绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其中,
所述第2绝缘膜和所述第4绝缘膜各自所包含的主体的材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置,其中,
所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料是氮化硅或氮氧化硅。
8.根据权利要求2所述的有机电致发光装置,其中,
所述第3绝缘膜的密度在所述第5绝缘膜的密度以下。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光装置,其中,
所述第3绝缘膜的厚度在所述第5绝缘膜的厚度以下。
10.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:
基板;
发光层;以及
保护层,其相对于所述发光层配置在与所述基板相反的一侧,保护所述发光层,
所述保护层具有:
第5绝缘膜;
第4绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第5绝缘膜之间,密度比所述第5绝缘膜的密度高;
第3绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第4绝缘膜之间,密度比所述第4绝缘膜的密度低;
第2绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第3绝缘膜之间,密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高;以及
第1绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第2绝缘膜之间,密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述第2绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄,
所述第4绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。
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