[发明专利]有机电致发光装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 202110001853.7 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN113078272B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 深川刚史 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H10K50/844 分类号: H10K50/844;H10K71/00;H10K59/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:

有机电致发光元件;以及

保护层,其保护所述有机电致发光元件,

所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜,

在远离所述有机电致发光元件的方向上,按照所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜的顺序进行配置,

所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料,

所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,

所述第2绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高,

所述第4绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,

所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料彼此相同。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其中,

所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置,其中,

所述第2绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄,

所述第4绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其中,

所述第2绝缘膜和所述第4绝缘膜各自所包含的主体的材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置,其中,

所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料是氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求2所述的有机电致发光装置,其中,

所述第3绝缘膜的密度在所述第5绝缘膜的密度以下。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光装置,其中,

所述第3绝缘膜的厚度在所述第5绝缘膜的厚度以下。

10.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:

基板;

发光层;以及

保护层,其相对于所述发光层配置在与所述基板相反的一侧,保护所述发光层,

所述保护层具有:

第5绝缘膜;

第4绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第5绝缘膜之间,密度比所述第5绝缘膜的密度高;

第3绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第4绝缘膜之间,密度比所述第4绝缘膜的密度低;

第2绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第3绝缘膜之间,密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高;以及

第1绝缘膜,其配置在所述发光层和所述第2绝缘膜之间,密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

11.根据权利要求10所述的有机电致发光装置,其特征在于,

所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。

12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置,其特征在于,

所述第2绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄,

所述第4绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。

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