[发明专利]可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法

说明书

一种可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法。该方法包括以下步骤：在有机溶剂存在的条件下，通过可见光照激发，将偶氮类化合物与甘氨酸衍生物反应，可得到一系列非天然氨基酸。本发明提供的方法利用可见光催化，反应条件温和，原子经济性高，与之前报道的传统方法相比，该方法避免了催化剂及添加剂的使用，符合发展绿色环境友好化学的要求，底物范围广、官能团兼容性好；且该方法可以成功应用于克级规模的放大实验，反应的转化率高，具有工业合成价值前景。

技术领域

本发明涉及有机化合物合成领域，具体涉及一种可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法。

背景技术

合成非天然氨基酸或者在天然氨基酸中进行修饰是多肽类药物合成的常用方法之一。其中，甘氨酸及其衍生物进行氮原子α-C(sp³)-H功能化是最直接的方法之一。目前发展的方法主要存在底物范围窄，需要强氧化剂或者过渡金属以及复杂配体等，极大的限制了其工业化应用。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法，以期至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一。

为了实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法，包括以下步骤：在有机溶剂存在的条件下，在可见光照下将式(1)所示的偶氮化合物与式(2) 所示的甘氨酸衍生物反应，得到式(3)所示的肼化的化合物：

其中，R₁为取代或未取代的C1～C10烷基中的一种，且当所述取代或未取代的C1～C10烷基具有取代基时，所述取代基选自C1～C10烷基或 C6～C20芳基；R₂为C6～C20芳基、OR₄或NR₅，R₄选自C1～C20烷基， R₅选自C1～C20烷基、氨基酸的残基或者多肽的残基，所述氨基酸或多肽在端氨基上被键合，且所述氨基酸或多肽的端羧基被C1～C20烷基酯化；Ar为取代或未取代的C6～C20芳基，且当所述取代或未取代的C6～C20芳基具有取代基时，所述取代基选自硼酯基、卤素、C1～C20烷基、C1～C20 烷氧基中的一种或多种的组合。

从上述技术方案可以看出，本发明的可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法至少具有以下技术效果其中之一或其中一部分：

(1)本发明利用可见光激发特定结构的偶氮化合物，对甘氨酸衍生物进行肼化修饰来合成一系列非天然氨基酸，底物间可通过分子间单电子转移以及氢原子转移过程确保催化反应的顺利进行，而不需要加入催化剂以及添加剂；

(2)相较于现有的甘氨酸衍生物的修饰方法，具有无催化剂及添加剂、原子利用率高、反应条件温和，选择性高等特征，对官能团兼容性也具有较好的优势，已经成功应用于克级规模的放大实验。

具体实施方式

本发明提供了一种可见光诱导甘氨酸衍生物的肼化修饰方法。在无光敏剂及添加剂的反应体系中，偶氮类化合物的被光照激发，与甘氨酸衍生物之间发生单电子转移(SET)及氢原子转移(HAT)过程，实现了氮邻位饱和碳的肼化修饰，高效合成了一系列非天然氨基酸。

为了进一步阐明本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为了进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域熟练人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明方法中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用。

具体而言，根据本发明的一些实施例，提供了可见光诱导甘氨酸及其多肽衍生物的肼化修饰方法，包括以下步骤：