[发明专利]一种集成电路封装用硅微粉及其制备方法有效
申请号: | 202111649262.7 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114213876B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 张光辉;周福;周蔚 | 申请(专利权)人: | 吉安豫顺新材料有限公司 |
主分类号: | C09C1/28 | 分类号: | C09C1/28;C09C3/04 |
代理公司: | 南昌科德知识产权代理事务所(普通合伙) 36143 | 代理人: | 胡群 |
地址: | 343900 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 封装 用硅微粉 及其 制备 方法 | ||
1.一种集成电路封装用硅微粉的制备方法,其特征在于:所述制备方法具体如下:
(1)选择高纯石英砂,经多级球磨机破碎为中位粒径3.0~4.0μm的原级硅微粉;
(2)在无水乙醇中溶解体积3%~5%的正硅酸乙酯,溶解完成后,加入无水乙醇质量5‰~8‰的氯离子固定助剂,分散后继续加入无水乙醇体积分数1‰~3‰的乳化硅油,制得表面改性乙醇溶液;
(3)在原级硅微粉中添加质量1/5~1/4的表面改性乙醇溶液,搅拌至原级硅微粉吸附完全后,然后加入表面改性乙醇溶液质量2%~3%的双氧水水溶液,搅拌均匀;所述双氧水水溶液的质量分数为0.3%;
(4)通过减压蒸馏除去乙醇和水,制得表面改性后的硅微粉;
所述氯离子固定助剂为对甲苯磺酸银:乙酰丙酮银质量比为100:1~2的混合物。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述高纯石英砂中SiO2的含量≥99.50%,其中杂质Fe3+含量换算成Fe2O3含量≤30ppm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述乳化硅油为ZBH-210乳化硅油。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述减压蒸馏的工艺参数为温度80℃~90℃,真空度-0.07MPa~-0.08MPa。
5.根据权利要求1-4任意一项所述制备方法制得的用于集成电路封装的硅微粉。
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