[发明专利]一种半导体器件退火工艺效果的测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，包括：

在裸晶圆的正面设置一层金属薄膜；

将覆盖有所述金属薄膜的所述晶圆沿水平和竖直方向裂片，得到侧面均无金属薄膜覆盖的实验片；

对所述实验片进行退火处理，观察所述实验片的金属表面形貌和颜色变化，测试所述实验片的正面和背面的电流电压特性，根据所述电流电压特性，确定能够形成欧姆接触所需的退火工艺窗口。

2.根据权利要求1所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，在所述晶圆的正面设置所述金属薄膜的方法包括热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射。

3.根据权利要求1所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，所述金属薄膜全面覆盖于所述晶圆的正面，所述金属薄膜的厚度为50～150nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，所述退火处理包括使用热退火工艺或激光退火工艺处理所述实验片。

5.根据权利要求4所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，使用所述热退火工艺处理所述实验片：

当退火温度＜形成欧姆接触所需的退火工艺窗口下限时，金属与硅不能形成欧姆接触，电流电压特性表现为绝缘体特性；

当退火温度位于形成欧姆接触所需的退火工艺窗口内时，金属与硅形成欧姆接触，电流电压特性表现为肖特基特性；

当退火温度＞形成欧姆接触所需的退火工艺窗口上限时，金属与硅处于过渡合金状态，电流电压特性表现为绝缘体特性。

6.根据权利要求4所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，使用所述激光退火工艺处理所述实验片：

当激光能量密度＜形成欧姆接触所需的退火工艺窗口下限时，金属与硅不能形成欧姆接触，电流电压特性表现为绝缘体特性；

当光能量密度位于形成欧姆接触所需的退火工艺窗口内时，金属与硅形成欧姆接触，电流电压特性表现为肖特基特性；

当光能量密度＞形成欧姆接触所需的退火工艺窗口上限时，金属与硅处于过渡合金状态，电流电压特性表现为绝缘体特性。

7.根据权利要求1所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，所述金属薄膜中的金属包括Al、Ti、Ni和Cr中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体器件退火工艺效果的测试方法，其特征在于，所述裸晶圆由半导体材料制作，所述半导体材料包括硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅和氮化镓。