[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

Si衬底；

位于所述Si衬底一侧的第一缓冲层，所述第一缓冲层为AlN层；

位于所述第一缓冲层背离所述Si衬底一侧的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括沿背离所述Si衬底的方向交替排布的AlGaN层和缺陷阻挡层，且所述第二缓冲层中，最靠近所述Si衬底的一层为AlGaN层，其中，所述缺陷阻挡层至少包括SiN层；

以及位于所述第二缓冲层背离所述Si衬底一侧，沿背离所述Si衬底的方向依次排布的第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二缓冲层中，沿背离所述Si衬底的方向，所述AlGaN层的Al组分逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二缓冲层中，沿背离所述Si衬底的方向，所述缺陷阻挡层的厚度逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缺陷阻挡层为SiN层。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缺陷阻挡层为超晶格层，所述超晶格层包括沿背离所述Si衬底的方向交替排布的SiN层和InN层。

6.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一Si衬底；

在所述Si衬底一侧形成第一缓冲层，所述第一缓冲层为AlN层；

在所述第一缓冲层背离所述Si衬底一侧，沿背离所述Si衬底的方向交替形成AlGaN层和缺陷阻挡层，从而形成第二缓冲层，且所述第二缓冲层中，最靠近所述Si衬底的一层为AlGaN层，其中，所述缺陷阻挡层至少包括SiN层；

在所述第二缓冲层背离所述Si衬底一侧，沿背离所述Si衬底的方向，依次形成第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二缓冲层中，沿背离所述Si衬底的方向，所述AlGaN层的Al组分逐渐减小。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述缺陷阻挡层的形成过程包括：

维持反应腔室在第一预设温度和第一预设压力下，向反应腔室内通入氨气和硅烷，经第一预设时间，以生长SiN层作为所述缺陷阻挡层。

9.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述缺陷阻挡层的形成过程包括：

维持反应腔室在第二预设温度和第二预设压力下，向反应腔室内通入氨气和硅烷，经第二预设时间，以生长SiN层；

停止向反应腔室通入硅烷，持续向反应腔室通入氨气，并向反应腔室内通入铟源，经第三预设时间，以生长InN层；

交替生长SiN层和InN层，从而形成所述缺陷阻挡层，使所述缺陷阻挡层为SiN层，或所述缺陷阻挡层为超晶格层，所述超晶格层包括沿背离所述Si衬底的方向交替排布的SiN层和InN层。

10.根据权利要求8或9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在生长SiN层时，向反应腔室内通入氨气的流量的取值范围为2L-20L，包括端点值；向反应腔室内通入硅烷的流量的取值范围为200sccm-2000sccm，包括端点值。