[发明专利]一种神经元器件耐久性测试及退化恢复方法

权利要求书

1.一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

构建测试电路，测试电路包括神经元器件支路及固定电阻，固定电阻与神经元器件支路串联，固定电阻第一端作为电压输入端，固定电阻第二端与神经元器件相连，神经元器件未与固定电阻相连的一端接地；

在所述电压输入端施加恒定正向偏压，使神经元器件两端的电压保持振荡行为；直至神经元器件特性衰减到预设范围，以最大振荡周期量化神经元器件的耐久性。

2.根据权利要求1所述的一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，所述测试电路连接有脉冲源，脉冲源用于发出恒压脉冲作为测试电路的输入。

3.根据权利要求1所述的一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，所述测试电路连接有示波器，示波器用于监测测试电路的电压波形。

4.根据权利要求3所述的一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，所述示波器包括两个通道，分别为第一通道和第二通道；

第一通道设置有内阻，第一通道用于测试其内阻两端的电压波形，以计算流过神经元器件的实时电流；

第二通道用于检测神经元器件两端的电压波形，结合第一通道测得的实时电流以计算神经元器件的阻值。

5.根据权利要求1所述的一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，所述的神经元器件支路包括电容，为并联神经元器件的外部电容或神经元器件的寄生电容。

6.根据权利要求1所述的一种神经元器件耐久性测试方法，其特征在于，所述神经元器件为具有TS特性的神经元器件，包括离子基TS器件及基于金属-绝缘体转变的TS器件。

7.一种神经元器件耐久性退化恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、构建测试电路，测试电路包括神经元器件支路及固定电阻，固定电阻与神经元器件支路串联，固定电阻第一端作为电压输入端，固定电阻第二端与神经元器件相连，神经元器件未与固定电阻相连的一端接地；

S2、在所述测试电路上的电压输入端施加恒定正向偏压，使神经元器件两端的电压保持振荡行为，记录第一次振荡周期的阈值转变电压作为初始值V_th0和V_h0；

S3、实时监测神经元器件的V_th和V_hold，检测神经元器件的阈值转变电压相较于记录的初始值的变化百分比是否超过预设定的程度，若是，则对该神经元器件施加负向刷新脉冲，并计算振荡周期数；

S4、若振荡周期数小于预设值，则记录上次施加负向刷新脉冲后的首个阈值转变电压作为初始值V_th0和V_h0，并执行步骤S3；若振荡周期数大于预设值，则结束循环，完成器件耐久性退化-恢复测试。

8.根据权利要求7所述的一种神经元器件耐久性退化恢复方法，其特征在于，所述振荡周期数的预设值为5×10¹⁰。

9.根据权利要求7所述的一种神经元器件耐久性退化恢复方法，其特征在于，步骤S2中，若神经元器件的阈值转变电压相较于记录的初始值满足以下条件之一：

则对神经元器件施加负向刷新脉冲。

10.根据权利要求7所述的一种神经元器件耐久性退化恢复方法，其特征在于，所述测试电路中连接有脉冲源及示波器，脉冲源用于发出恒压脉冲作为测试电路的输入，示波器用于监测测试电路的电压波形；

所述示波器包括两个通道，分别为第一通道和第二通道；第一通道设置有内阻，第一通道用于测试其内阻两端的电压波形，以计算流过神经元器件的实时电流；第二通道用于检测神经元器件两端的电压波形，结合第一通道测得的实时电流以计算神经元器件的阻值；

所述的神经元器件支路包括电容，为并联神经元器件的外部电容或神经元器件的寄生电容；且所述神经元器件为具有TS特性的神经元器件，包括离子基TS器件及基于金属-绝缘体转变的TS器件。