[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、制备发光二极管外延片：在衬底材料(1)的上方依次设置缓冲结构层(2)、第一半导体层(3)、多量子阱层(4)和第二半导体层(5)，以制备出完整的发光二极管外延片；

步骤二、制备透明扩展层(6)：在发光二极管外延片上设置一层具有透明效果且导电的透明扩展层(6)；

步骤三、制备反射绝缘层(7)：在透明扩展层(6)的芯片表面沉积一层反射绝缘层(7)；

步骤四、制备整体芯片：通过蒸镀工艺在反射绝缘层(7)上设置分别间隔设置的N电极(8)和P电极(9)，完成整体芯片的制作；

步骤五、将整体芯片进行切割：将整体芯片依次通过研磨、精抛、背镀和切割的工艺，将整体芯片切割成为一颗颗独立的发光二极管芯片；

步骤六、将每颗发光二极管芯片翻转至高温膜；

步骤七、制备绝缘包覆层(10)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底材料(1)设置为蓝宝石衬底材料。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备透明扩展层的具体过程如下：

S2.1、采用蒸镀设备或者溅射设备通过高温退火工艺在发光二极管外延片上蒸镀或者溅射一层具有透明效果且导电的透明扩展层(6)；

S2.2、在透明扩展层(6)上采用匀胶、曝光、显影、坚膜工艺制备出芯片图形，而后经过ITO蚀刻液对图形区域以外的透明扩展层(6)进行ITO腐蚀，只保留需要的芯片图形下方的透明扩展层(6)；

S2.3、通过ICP刻蚀工艺，在透明扩展层(6)上刻蚀出第一半导体层(3)，而后在通过一次ITO腐蚀工艺对芯片的透明扩展层(6)进行向内腐蚀，让ITO的边缘与ICP刻蚀的边缘有3um的距离空隙，再通过去胶液对光刻胶进行去除。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述透明扩展层(6)的厚度设置为30nm-300nm。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述透明扩展层(6)采用ITO、NI-AU合金或IZO制备而成。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备反射绝缘层(7)的具体过程如下：

S3.1、采用沉积工艺，在透明扩展层(6)的芯片表面沉积一层反射绝缘层(7)；

S3.2、再采用黄光光刻工艺，制备层芯片的电极图形，其余地方则被光刻胶保护，只漏出芯片电极位置；

S3.3、通过蚀刻工艺去除电极位置的反射绝缘层(7)，完成反射绝缘层(7)的制备。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述反射绝缘层(7)包括从下至上依次设置的绝缘保护层、反射层和接触层；

所述绝缘保护层的材质设置为氧化硅；

所述反射层设置为布拉格反射层；

所述接触层的材质设置为氧化硅。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，将每颗发光二极管芯片翻转至高温膜的具体过程如下：

通过扩张工艺将每颗发光二极管芯片扩张开后通过高温膜翻转工艺，将每颗发光二极管芯片翻转到高温膜上，翻转后每颗发光二极管芯片的电极面与高温膜相接触；所述电极面为N电极(8)和P电极(9)远离反射绝缘层(7)的端面。

9.根据权利要求7或8所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备绝缘包覆层的具体过程如下：

通过ALD沉积设备，在把高温膜上面的发光二极管芯片沉积一层绝缘包覆层(10)，并要求绝缘包覆层(10)将发光二极管芯片中除电极位置外的其余位置均被包覆。

10.一种应用如权利要求9所述的制备方法所制备的发光二极管芯片。